工程師“如何提高電源效率”

首先，需要計算好變壓器的Ap值，計算方法壇子里有很多相關(guān)的帖子，大家可以搜下，我在這里就不在贅述了。得到Ap值之后，我們就要根據(jù)電源的結(jié)構(gòu)尺寸來初步選擇變壓器，包括變壓器的高度，寬度以及長度。當電源的整體高度有限制時，就需要考慮扁平型的變壓器，臥式變壓器是首選。常見的有EE系列，EC系列，ER系列的臥式變壓器，EF系列與EFD系列變壓器；如果是超薄的適配器與LED日光燈內(nèi)置電源，可以考慮平面變壓器。

其次，在選擇變壓器的時候我們要根據(jù)電路的參數(shù)與側(cè)重點不同，而選擇不同的變壓器。比如，在反激電源中，我們希望漏感越小越好，因為漏感大小會影響功率器件的電壓與電流應(yīng)力，同時對EMC也有不可忽視的影響，那么我們就找對漏感控制有利的變壓器，如PQ型，RM型，以及ERL型的變壓器，再加上合理的繞法，可以將漏感控制在3%以下。又如LLC電源，我們希望用變壓器的漏感來作為諧振電感，所以我們需要刻意加大漏感，選用分槽的骨架來繞制比較理想。

再次，在選擇變壓器的時候，要考慮到成本與通用性。成本不僅僅是每個企業(yè)老板關(guān)心的問題，同樣是我們廣大研發(fā)工程師最糾結(jié)的問題，除非是少數(shù)軍品級別或高檔不計成本的電源，我們在設(shè)計的時候要在性能參數(shù)與成本之間找到一個平衡點，不要刻意去追求某個參數(shù)而忽略帶來的成本影響，有時哪怕每個變壓器增加幾分錢的成本，如果批量起來，都是不可忽略的一筆開支。除非由于商業(yè)因素的考慮，希望自己的產(chǎn)品不被其它的廠商所抄襲，一般不考慮私?；蚱T的變壓器磁芯與骨架，因為量產(chǎn)的時候，供貨的渠道與周期都會受到很大的制約，而通用的磁芯，無論在價格上還是在供貨渠道與周期都有很大的可選擇性。

圖片展示：

選擇變壓器的時候，還要考慮到為了符合安規(guī)標準，EMC性能：

首先，要考慮變壓器骨架的繞線寬度，變壓器為了符合安規(guī)中的爬電就離要求，一般都要在繞組邊上加3mm的擋墻，那么這就縮小了變壓器骨架的可用繞線寬度；而如果不加擋墻的話，就需要使用三重絕緣線，而三重絕緣線的外徑一般比內(nèi)部的銅線直徑大0.2mm，那么，同樣的窗口面積，繞線的匝數(shù)相當于減少了。

其次，要考慮變壓器骨架的槽深，有時為了EMC，需要在變壓器內(nèi)部加入屏蔽層，有些用細線繞，有的用銅箔繞，這些繞組無疑會增加繞組的層數(shù)，也就是說可用于繞制變壓器其他繞組的槽深就減少了。

選擇變壓器還要考慮到繞組裝配工藝的影響。

很多的工程師在設(shè)計變壓器的時候，沒有考慮到裝配工藝，往往會出現(xiàn)這樣的情況：變壓器計算好之后，把參數(shù)發(fā)給變壓器廠做樣；然后，變壓器廠工程師打電話說繞不下，磁芯太緊，不好裝配，不利于量產(chǎn)；最后不得不修改變壓器參數(shù)；這樣無疑會延緩項目的進度。所以在設(shè)計之初，我們就要考慮到變壓器磁芯窗口的誤差，以及繞線工藝、絕緣TAPE的厚度等因素，這些因素都會影響變壓器的裝配；我們在計算時應(yīng)該對這些因素給予充分考慮，留有一定的余量。

上面談了變壓器的磁芯骨架選擇考慮的問題，下面來談?wù)勛儔浩鞯睦@制方法與注意事項。

普通分層繞法：

一般的單輸出電源，變壓器分為3個繞組，初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb；當實用普通分層繞法時，繞制的順序是：Np--Ns--Nb，當然也有的是采用Nb--Ns--Np的繞法，但不常用，原因大家可以先思考下，過幾天我再分析。

此種繞法工藝簡單，易于控制磁芯的各種參數(shù)，一致性較好，繞線成本低，適用于大批量的生產(chǎn)，但漏感稍大，故適用于對漏感不敏感的小功率場合，一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法。

三明治繞法

三明治繞法久負盛名，幾乎每個做電源的人都知道這種繞法，但真正對三明治繞法做過深入研究的人，應(yīng)該不多。
相信很多人都吃過三明治，就是兩層面包中間夾一層奶油。顧名思義，三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同，三明治又分為兩種繞法：初級夾次級，次級夾初級。

先來看第一種，初級夾次級的繞法（也叫初級平均繞法）

如上圖，順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb，此種繞法有量大優(yōu)點。

由于增加了初次級的有效耦合面積，可以極大的減少變壓器的漏感，而減少漏感帶來的好處是顯而易見的：漏感引起的電壓尖峰會降低，這就使MOSFET的電壓應(yīng)力降低，同時，由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低，從而改善EMI；

由于在初級中間加入了一個次級繞組，所以減少了變壓器初級的層間分布電容，而層間電容的減少，就會使電路中的寄生振蕩減少，同樣可以降低MOSFET與次級整流管的電壓電流應(yīng)力，改善EMI。

第二種，次級夾初級的繞法（也叫次級平均繞法）

如上圖，順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當輸出是低壓大電流時，一般采用此種繞法，其優(yōu)點有二：

1、可以有效降低銅損引起的溫升：由于輸出是低壓大電流，故銅損對導(dǎo)線的長度較為敏感，繞在內(nèi)側(cè)的Ns/2可以有效較少繞線長度，從而降低此Ns/2繞組的銅損及發(fā)熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長，但是基本上是在變壓器的外層，散熱良好故溫度也不會太高。

2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯，次級電壓低，故引起的高頻干擾小。

這個是220V輸入時滿載，MOSFET的Vds的波形。

這個是260V輸入時，MOSFET的Vds波形。

下面，我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發(fā)對EMI的影響

首先，我們來看初級夾次級的繞法。

我們知道，變壓器的初級由于電壓較高，所以繞組較多，一般要超過2層，有時甚至達到4-5層，這就給變壓器帶來一個分布參數(shù)---層間電容，形成原理相信大家都清楚，我就不多解釋了。

當MOSFET關(guān)斷的時候，變壓器的漏感與MOSFET的結(jié)電容以及變壓器的層間電容會產(chǎn)生振動，幅度達到幾十甚至超過一百V，這對MOSFET與EMI來說都是不允許的，所以，我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩，達到保護MOSFET與改善EMI的目的。

上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形。

從這個角度來說，三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說，三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積，減少了漏感，同時又使初次級的耦合電容增加了；當開關(guān)管反復(fù)開關(guān)時，電容也會反復(fù)充放電，也就是說會引起振蕩，此振蕩正比于開關(guān)頻率，會對EMI產(chǎn)生不利的影響。 （電源網(wǎng)原創(chuàng)轉(zhuǎn)載請注明出處）