技術(shù)前沿:低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
0 引言
基準(zhǔn)電壓是數(shù)模混合電路設(shè)計(jì)中一個(gè)不可缺少的參數(shù),而帶隙基準(zhǔn)電壓源又是產(chǎn)生這個(gè)電壓的最廣泛的解決方案。在大量手持設(shè)備應(yīng)用的今天,低功耗的設(shè)計(jì)已成為現(xiàn)今電路設(shè)計(jì)的一大趨勢(shì)。隨著CMOS工藝尺寸的下降,數(shù)字電路的功耗和面積會(huì)顯著下降,但電源電壓的下降對(duì)模擬電路的設(shè)計(jì)提出新的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)不再適應(yīng)電源電壓的要求,所以,新的低電壓設(shè)計(jì)方案應(yīng)運(yùn)而生。本文采用一種低電壓帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。在TSMC0.13μmCMOS工藝條件下完成,包括核心電路、運(yùn)算放大器、偏置及啟動(dòng)電路的設(shè)計(jì),并用Cadence Spectre對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。
1 傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理
傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是利用兩個(gè)溫度系數(shù)相抵消來產(chǎn)生一個(gè)零溫度系數(shù)的直流電壓。圖1所示是傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電壓源的核心部分的結(jié)構(gòu)。其中雙極型晶體管Q2的面積是Q1的n倍。
假設(shè)運(yùn)算放大器的增益足夠高,在忽略電路失調(diào)的情況下,其輸入端的電平近似相等,則有:
VBE1=VBE2+IR1 (1)
其中,VBE具有負(fù)溫度系數(shù),VT具有正溫度系數(shù),這樣,通過調(diào)節(jié)n和R2/R1,就可以使Vref得到一個(gè)零溫度系數(shù)的值。一般在室溫下,有:
但在0.13μm的CMOS工藝下,低電壓MOS管的供電電壓在1.2 V左右,因此,傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)已不再適用。
2 低電源帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理
低電源電壓下的帶隙基準(zhǔn)電壓源的核心思想與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)相同,也是借助工藝參數(shù)隨溫度變化的特性來產(chǎn)生正負(fù)兩種溫度系數(shù)的電壓,從而達(dá)到零溫度系數(shù)的目的。圖2所示是低電壓下帶隙基準(zhǔn)電壓源的核心部分電路,包括基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部分和啟動(dòng)電路部分。
2.1 帶隙基準(zhǔn)源電路
由于放大器的輸入端電平近似相等,故由電流鏡像原理可得到如下等式:
這樣,適當(dāng)選擇R2/R1、R2/R3以及n的值,即可得到低電源電壓下的基準(zhǔn)電平。
基于版圖的設(shè)計(jì)考慮,可選擇n為8,這樣可以更好地實(shí)現(xiàn)三極管的匹配,減小誤差。該電流源使用共源共刪結(jié)構(gòu),從而可以提高電流拷貝的精度以及減小電源電壓對(duì)Vref的影響,并在一定程度上有利于PSRR。
雖然CMOS工藝中的電阻絕對(duì)值會(huì)有偏差,但這里用到的是電阻的比值,所以要盡可能的做到比值的準(zhǔn)確。具體方法是把R1、R2、R3都用單位電阻并聯(lián)串聯(lián)來表示。版圖設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)盡量把這些電阻放在一起,并在周圍加上dummy,以最大限度地減小工藝偏差對(duì)電阻比值的影響。
2.2 啟動(dòng)電路
電路開啟前,可將Pup置為0,開關(guān)M1關(guān)斷,反相器輸入端為高電平,開關(guān)M2不開;當(dāng)信號(hào)Pup置為1時(shí),開關(guān)M1打開,反相器輸入端電壓被拉低,使開關(guān)M2開啟,P點(diǎn)電壓被拉低,帶隙基準(zhǔn)電路部分開始工作,M3隨之開啟;此后由于M3開始工作,電阻Rstup上流過的電流把反相器輸入端電位抬高,超過反相器反向電壓時(shí)。輸出為低電位,開關(guān)M2關(guān)閉,啟動(dòng)電路結(jié)束工作。M3與Rstup的選取是啟動(dòng)電路值得注意的地方,M3鏡像而來的電流與Rstup的阻值乘積得到的電壓值必須在P點(diǎn)電壓穩(wěn)定前足以使反相器輸出低電壓,并使開關(guān)M2關(guān)斷。
3 仿真分析
圖3為基準(zhǔn)電壓幅度隨溫度變化的曲線,可以看到,從-30~100℃,Vref基本在3 mV以內(nèi)波動(dòng),誤差范圍在5%以內(nèi)。
圖4所示是本設(shè)計(jì)的PSRR仿真結(jié)果。從圖4可以看出,在低頻時(shí),其PSRR約為-81 dB。
圖5是本設(shè)計(jì)的電源電壓掃描仿真結(jié)果。由圖可見,其電源電壓在1~1.8 V之間,基準(zhǔn)電路都能很穩(wěn)定的輸出約600 mV的電壓基準(zhǔn)值。
4 結(jié)束語
本文給出了一個(gè)低電壓供電時(shí)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的設(shè)計(jì)方法。該電路通過對(duì)傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電路的改進(jìn),使輸出基準(zhǔn)電壓在600 mV仍然能滿足零溫度系數(shù)。本設(shè)計(jì)基于TSMC 0.13 μmC-MOS工藝。通過仿真,結(jié)果顯示:該電路在-30~100℃范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為12×10-6℃,低頻下的PSRR約為-81 dB。在供電為1~1.8 V范圍內(nèi),電路能夠工作正常,輸出電壓約600 mV。
評(píng)論