影響CMOS單電源放大器的THD+N性能的因素
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有兩種單電源放大器拓撲可以接受電源之間的輸入信號。圖1a所示拓撲具有一個互補差動輸入級。在該拓撲中，放大器的輸入位于負軌附近時，PMOS晶體管為“開”，而NMOS晶體管為“關(guān)”。當放大器的輸入更接近于正電壓軌時，NMOS晶體管為“開”，而PMOS晶體管為“關(guān)”。
圖1：互補輸入級、單電源放大器：a)；帶一個正充電泵的單差動對輸入級：b)。
這種設計拓撲在共模輸入范圍會存在極大的放大器失調(diào)電壓差異。在接地電壓附近的輸入范圍，PMOS晶體管的失調(diào)誤差為主要誤差。在正電源附近的區(qū)域，NMOS晶體管對主導失調(diào)誤差。由于放大器的輸入通過這兩個區(qū)域之間，因此兩個對均為“開”。最終結(jié)果是，輸入失調(diào)電壓將在兩個級之間變化。當PMOS和NMOS均為“開”時，共模電壓區(qū)域約為400mV。這種交叉失真現(xiàn)象會影響放大器的總諧波失真(THD)。如果您以一種非反相結(jié)構(gòu)來配置互補輸入放大器，則輸入交叉失真就會影響放大器的THD+N性能。例如，在圖2中，如果不出現(xiàn)輸入過渡區(qū)域，則THD+N等于0.0006%。如果THD+N測試包括了放大器的輸入交叉失真，則THD+N等于0.004%。您可以利用一種反相結(jié)構(gòu)來避免出現(xiàn)這類放大器交叉失真。
圖2：一個互補輸入級單電源放大器的THD+N性能。
另一個主要的THD+N影響因素是運算放大器的輸出級。通常，單電源放大器的輸出級有一個AB拓撲(請參見圖1a)。輸出信號做軌至軌掃描時，輸出級顯示出了一種與輸入級交叉失真類似的交叉失真，因為輸出級在晶體管之間切換。一般而言，更高電平的輸出級靜態(tài)電流可以降低放大器的THD。
放大器的輸入噪聲是影響THD+N規(guī)范的另一個因素。高級別的輸入噪聲和/或高閉環(huán)增益都會增加放大器的總THD+N水平。
要想優(yōu)化互補輸入單電源放大器的THD+N性能，可將放大器置于一個反相增益結(jié)構(gòu)中，并保持低閉環(huán)增益。如果系統(tǒng)要求放大器配置為非反相緩沖器，則選擇一個具有單差動輸入級和充電泵的放大器更為合適。
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