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TPS54310的平均SPICE模型的建立與應(yīng)用

作者: 時間:2009-11-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1 引言

自從1978年,R.Keller 首次運用R.D.Middlebrook的理論進行開關(guān)電源的SPICE仿真,近30年來,在開關(guān)電源的的建模方面,許多學(xué)者都建立了自己的模型理論,從而形成了各種SPICE模型。這些模型各有所長,比較有代表性的有:Dr. Sam Ben-Yaakov的;Dr. Ray Ridley的模型;基于 Dr. Vatche Vorperian的Orcad9.1的開關(guān)電源平均Pspice模型;基于Steven Sandler的ICAP4的開關(guān)電源平均Isspice模型;基于Dr. Vincent G. Bello的Cadence的開關(guān)電源平均模型等等。本文將在Dr. Sam Ben-Yaakov概念的基礎(chǔ)上,結(jié)合TI公司的變換器IC TPS54310的主要參數(shù)進行平均SPICE宏模型的構(gòu)建,并對利用所建模型構(gòu)成的變換器電路在Intusoft公司的ICAP4軟件平臺上進行以及。

2 TPS54310的的建立

TPS54310是美國TI公司推出的集成功率MOSFET的直流/直流變換器IC系列SWIFT的新成員,3V 至 6V輸入,0.9V 到 3.3V可調(diào)輸出,連續(xù)額定電流達3A。TPS54310集成了構(gòu)成BUCK型模塊所有需要的有源器件, 內(nèi)部電路框圖見(圖1)。


(圖1)TPS54310內(nèi)部電路框圖

主電路模型的構(gòu)建

主電路模型包括開關(guān)電感SIM模型、占空比發(fā)生器DCG以及損耗發(fā)生器模型三部分。

1. 開關(guān)電感SIM模型

仔細研究經(jīng)典PWM開關(guān)轉(zhuǎn)換器的電路拓撲(buck,boost,buck-boost),可以發(fā)現(xiàn)它們均包含一個非線性模塊,即用來儲能的可開關(guān)的電感,見(圖2)。因為變換器的系統(tǒng)帶寬要小于開關(guān)頻率,因此可以把這個非線性模塊作平均處理,然后用與SPICE兼容的等效電路代替,就可以得到PWM開關(guān)轉(zhuǎn)換器的。這個低頻的或者平均的等效電路見(圖3),用SPICE中的非線性獨立源構(gòu)成。EL代表儲能電感L兩端的平均電壓。

(1)

流過開關(guān)電感各端口的平均電流如下:

(2a) IL代表流過儲能電感L的平均電流


(圖3)


(圖2)開關(guān)電感

(1) 式和(2a)~ (2c)式的關(guān)系適用于CCM連續(xù)電感電流和DCM不連續(xù)電感電流兩種工作模式。

2. 占空比發(fā)生器DCG

TPS54310內(nèi)部采用電壓模式的脈寬調(diào)制器,PWM比較器把誤差放大器輸出的控制電壓與振蕩器產(chǎn)生的鋸齒波電壓進行比較以產(chǎn)生所需的接通占空比DON,如(圖4)所示。查TPS54310數(shù)據(jù)手冊中的關(guān)鍵特性參數(shù)表可得, VL=0.75V,VH=1.75V,所以


(圖4)


(圖5)

對應(yīng)(3)式的等效模型見(圖5),X1是增益為1的增益宏模型,可從ICAP4的模型庫里直接調(diào)用。斷開占空比DOFF的產(chǎn)生比較復(fù)雜,分為下面兩種情況:

DCM模式

CCM模式

對應(yīng)(4)式和(5)式的等效模型見(圖6)。其中,非線性獨立電壓源EDOFF對應(yīng)(4)式


(圖6)

中的DOFF, EMAX對應(yīng)(5)式中的DOFF 。在DCM模式下,DOFF 1-DON,因此理想二極管D2截止,則

在CCM模式下,DOFF≥1-DON,理想二極管D2導(dǎo)通,這時,

可以看出,DOFF發(fā)生器模型在DC-DC轉(zhuǎn)換器進入CCM模式和DCM模式時是自適應(yīng)的,在仿真過程中無需人工切換。理想二極管D1的作用是確保DOFF不小于0。

3. 損耗發(fā)生器模型

TPS54310 DC-DC轉(zhuǎn)換器的損耗主要有三部分:整流損耗、高頻開關(guān)損耗和儲能電感的平均歐姆損耗。整流損耗模型用一個非線性獨立電流源和TPS54310內(nèi)部的管模型構(gòu)成;高頻開關(guān)損耗模型用一個非線性獨立電流源和TPS54310內(nèi)部的高頻開關(guān)管的導(dǎo)通電阻構(gòu)成;儲能電感的平均歐姆損耗模型用一個非線性獨立電流源和TPS54310外接儲能電感的歐姆電阻構(gòu)成。

誤差放大器宏模型的構(gòu)建

誤差放大器的電路級模型廠家一般不公布,這里根據(jù)TPS54310的數(shù)據(jù)手冊,建立誤差放大器的性能模型。由于性能模型采用黑箱模擬,因而降低了模型的復(fù)雜度,同時獲得了更高的仿真效率。建立TPS54310誤差放大器的性能模型需要下面6個主要參數(shù):
1. 直流開環(huán)增益:120dB 或1000000 {GAIN}
2. 第一極點:3.75Hz {POLE}
3. 最大輸出電壓:1.75V {VHIGH}
4. 最小輸出電壓:0.75 V{VLOW}
5. 最大吸電流:3mA {ISINK}
6. 最大源電流:3mA {ISOURCE}

直流開環(huán)增益和第一極點的數(shù)據(jù)來自TPS54310數(shù)據(jù)手冊中的誤差放大器開環(huán)頻響曲線。

最大輸出電壓和最小輸出電壓結(jié)合上面的(3)式推出。即當(dāng)DON=0,誤差放大器輸出最小控制電壓0.75V;當(dāng)DON=1,誤差放大器輸出最大控制電壓1.75V。最終TPS54310誤差放大器的宏模型見(圖7),其開環(huán)仿真曲線見圖(8)。


(圖7)TPS54310誤差放大器的宏模型


(圖8)TPS54310誤差放大器的開環(huán)仿真曲線


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