高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

　　高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標志著移動射頻前端技術的一個重大進展，兩款芯片借助簡化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關，相信會在集成電路上實現前所未有的功能。

　　集成天線開關的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動終端的包絡追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm®RF360?前端解決方案的關鍵組件，并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網絡的單一多模設計。

　　QFE2320和QFE2340的組合能夠覆蓋所有主要的蜂窩模式，包括LTETDD/FDD、WCDMA/HSPA+、CDMA1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE，以及從700MHz到2700MHz的相關射頻頻段。QFE1100目前已經在全球很多商用智能手機中采用，也將應用于中興GrandSIILTE。

　　美國高通技術公司產品管理副總裁AlexKatouzian表示：“我們的集成功率放大器和天線開關以及高頻段功率放大器在中興GrandSIILTE手機上得到采用，是RF360前端解決方案實施過程中一個令人興奮的進展。消費者和OEM廠商都將從這些創(chuàng)新的射頻解決方案中受益，它們實現了更小的尺寸和更高的能效，并支持全球漫游的LTE終端。”

　　中興通訊對外合作副總裁兼全球高端技術團隊負責人王眾博士表示：“美國高通技術公司的射頻芯片組具有卓越的性能和效率，讓我們能夠設計功耗更低且外形更時尚的終端，并能夠連接到全球最快的網絡上。我們很高興在GrandSIILTE上采用美國高通技術公司最新RF360前端解決方案中的兩款產品，以及高通驍龍800處理器和WTR1625收發(fā)器，實現同級最佳的LTE連接和卓越用戶體驗。”

　　QFE2320和QFE2340采用CMOS制造工藝，能夠將各組件更緊密地集成在單一芯片上。在QFE2320中集成功率放大器和天線開關，能夠簡化走線，減少前端中的射頻組件數量，滿足更小的印刷電路板(PCB)面積要求——所有這些都支持OEM廠商能夠以更低的成本打造尺寸更小的終端設計，支持連接到全球主要2G、3G和4GLTE網絡所需的廣泛射頻頻段。QFE2340高頻段MMMBPA集成收發(fā)器模式開關，提供全球首款商用LTE晶片級納米規(guī)模封裝(WLNSP)MMMBPA，首次向移動行業(yè)引入創(chuàng)新的LTETDD射頻前端架構。

　　QFE2320和QFE2340目前正向OEM廠商出貨，預計今年將在全球更多領先的智能手機上應用。QualcommRF360解決方案中還包括首款用于3G/4GLTE終端的包絡追蹤芯片QFE1100和可配置天線匹配調諧芯片QFE1510，這兩款芯片已經在2013年實現商用。