三星已量產(chǎn)20nm 4Gb DDR3內(nèi)存模組：產(chǎn)量增三成 能耗降25%

　　買(mǎi)電腦的話，人們通常有兩種選擇，要么從戴爾聯(lián)想等OEM廠商那里買(mǎi)現(xiàn)成的，或者想辦法自己折騰。當(dāng)然，前者雖然省事，但是可定制的選項(xiàng)卻比較少;因而還是有不少用戶(hù)，選擇了自己更自由靈活的DIY。如此一來(lái)，你就能夠選擇硬盤(pán)的類(lèi)型和容量，以及內(nèi)存頻率等規(guī)格了。說(shuō)到這，很多人內(nèi)心里肯定泛起了淡淡的憂(yōu)傷——因?yàn)閮?nèi)存已經(jīng)盤(pán)踞高位很久了。

　　縱觀世界幾大內(nèi)存顆粒制造商，三星(Samsung)的份額和優(yōu)勢(shì)，顯然比海力士(Hynix)、鎂光(Micron/Spectek)、爾必達(dá)(Elpida)、南亞(Nanya)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手要明顯得多。

　　今天，三星宣布了一個(gè)好消息——20nm 4Gb DDR3內(nèi)存模組已進(jìn)入量產(chǎn)階段。而這，將對(duì)智能手機(jī)、平板、以及個(gè)人電腦行業(yè)產(chǎn)生極大的影響。

　　該公司稱(chēng)，“修改后的雙模式技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了新的里程碑。在20nm DDR3內(nèi)存模組上，我們用到了當(dāng)前的光刻設(shè)備，還結(jié)合了下一代的10nm級(jí)DRAM生產(chǎn)技術(shù)(核心部分)。

　　此外，三星還提升了生產(chǎn)力，與當(dāng)前的25nm DDR3制程相比，其速度提升了30%。與30nm級(jí)別的DDR3制程相比，更是提升了兩倍以上”。

　　三星進(jìn)一步解釋稱(chēng)，新的20nm 4Gb DDR3內(nèi)存模組，其最多能減少25%的能源消耗(與當(dāng)前的25nm制程相比)。

　　有鑒于此，電池捉急的移動(dòng)設(shè)備(如智能機(jī)、平板、以及筆記本電腦等)，將成為最大的受益者。