新聞中心

EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > SanDisk推iNAND Extremed嵌入式閃存

SanDisk推iNAND Extremed嵌入式閃存

作者: 時(shí)間:2013-09-30 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

據(jù)報(bào)道:公司推出了iNAND Extremed嵌入式閃存,容量128GB,專(zhuān)門(mén)面向平板市場(chǎng),并針對(duì)英特爾Bay Trail 22nm Atom處理器進(jìn)行優(yōu)化。

據(jù)介紹,這款iNAND Extremed嵌入式閃存是靈活和低功耗的閃存存儲(chǔ)解決方案,為新一代平板電腦帶來(lái)高反應(yīng)速度,隨機(jī)寫(xiě)入速度高達(dá)800 IOPS,隨機(jī)讀取速度可高達(dá)4K IOPS,順序?qū)懭胨俣冗_(dá)45 MB/秒,順序讀取速度高達(dá)150 MB/秒,據(jù)稱(chēng)結(jié)合全新英特爾凌動(dòng)平臺(tái),可提供更出色的性能。



關(guān)鍵詞: SanDisk

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉