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直接總線式DRAM的信號(hào)連接

作者: 時(shí)間:2011-12-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
Direct Rambus 關(guān)系如圖所示。與DDR-S最大的不同在于信號(hào)線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。

  圖 Direct Rambus 關(guān)系

  異步DRAM、同步DRAM以及DDR-SDRAM等無論哪個(gè)輸出都是有極性輸出,是屬于在高電平時(shí)驅(qū)動(dòng)高電平的機(jī)制,而Direct Rambus DRAM利用漏極開路輸出,可以對(duì)應(yīng)于快速操作。

  另外,采用2個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘是處理時(shí)鐘相位偏移的對(duì)策,DDRSDRAM利用雙向的選通信號(hào)實(shí)施時(shí)鐘相位偏移的處理對(duì)策,而Direct Rambus DRAM預(yù)各了由DRAM向DRAM控制器方向的時(shí)鐘及由控制器向DRAM方向的時(shí)鐘兩個(gè)系統(tǒng),通過改變讀操作與寫操作時(shí)所利用的時(shí)鐘,實(shí)施時(shí)鐘相位偏移的處理對(duì)策,基本上采用了接近理想的處理方式。

  圖的右上部是時(shí)鐘發(fā)生器,物理上放置于離DRAM控制器最遠(yuǎn)的DRAM的旁邊,從這里按順序給時(shí)鐘布線,到DRAM控制器處再折回到最遠(yuǎn)的DRAM處,結(jié)束布線。

  在這兩個(gè)系統(tǒng)的時(shí)鐘輸人中,由DRAM向主機(jī)方向的稱為CTM(Clock To Master);相反,由主機(jī)向DRAM方向的稱為CFM(Clock From VaSTer),以便于區(qū)分。讀操作時(shí),也就是從DRAM輸出數(shù)據(jù)時(shí),Direct Rambus DRAM與CTM時(shí)鐘同步輸出數(shù)據(jù)。如果時(shí)鐘與數(shù)據(jù)信號(hào)的布線長(zhǎng)度等相同,則時(shí)鐘與數(shù)據(jù)具有相同的延遲時(shí)間到達(dá)DRAM控制器,所以DRAM控制器可以與時(shí)鐘同步接受數(shù)據(jù)。

  另一方面,當(dāng)向DRAM進(jìn)行寫操作時(shí),DRAM控制器與時(shí)鐘同步輸出數(shù)據(jù),由于該數(shù)據(jù)是與作為由DRAM控制器向DRAM方向的時(shí)鐘CPM時(shí)鐘一起傳輸?shù)?,所以只要DRAM端能與CFM時(shí)鐘同步接受數(shù)據(jù)即可。



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