恒憶新RAM為相變存儲器提供無縫架構途徑

2008 年 7 月 29 日，存儲巨頭恒憶 (Numonyx)宣布推出 Velocity LP^TM NV-RAM 產品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數據傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲器，不但可以給手機和消費性電子產品廠商提供更高的存儲性能，而且比目前其他解決方案價格更低。這些裝置在提供高動態(tài)隨機存儲器（DRAM）內容平臺低成本解決方案的同時，還可達到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲器 (PCM) 產品提供了無縫的絕佳架構途徑。

無線電話中的數字圖像、影像、游戲及其他應用程序都對存儲器提出了更高要求，為滿足這些要求，大多數的手機制造商會采用結合如NOR、NAND等非揮發(fā)性存儲器以及成本低廉的RAM技術。其中由于各種存儲器類型需要不同的硬件和軟件接口，經常迫使設計人員在存儲系統(tǒng)性能與支持更多接口之間得做出妥協(xié)，因而提高系統(tǒng)成本。

恒憶Velocity LP NV-RAM將系統(tǒng)中不同的存儲器的特性結合在一個廣為接受LPDDR 接口上，有助于簡化系統(tǒng)架構、提升速度并降低成本。由于此非揮發(fā)性存儲器也具有執(zhí)行功能，因此設計人員可以 RAM的 速度讀取數字內容，并降低系統(tǒng)的 LP RAM 需求以減少存儲系統(tǒng)成本，此接口同時可協(xié)助系統(tǒng)設計人員使用相同架構來擴充存儲系統(tǒng)，以支持從低端到高端的各種電話。

恒憶無線通訊產品事業(yè)部副總裁暨總經理 Marco Dallabora 表示，憑借恒憶在無線非揮發(fā)存儲器市場的領先地位，恒憶Velocity LP NV-RAM 采用業(yè)經驗證的 65納米非揮發(fā)存儲器技術，率先推出 LPDDR-NVM 接口。恒憶的目標是協(xié)助 OEM 推出符合成本效益的高性能手機，并開始針對無線市場推出基于 PCM 的器件。

恒憶Velocity LP NV-RAM 系列與 2007 年 11 月所發(fā)布的 JEDEC 低功耗雙倍數據傳輸速率 (LPDDR) NVM 標準兼容。恒憶將持續(xù)推出新產品來迎合產業(yè)未來新一代接口標準，此次開發(fā)的產品是推出更快速非揮發(fā)性存儲器的第一步，并借此降低移動平臺加載額外 RAM 的需求。

在研發(fā)Velocity LP NV-RAM 系列產品過程中，恒憶便積極與產業(yè)鏈及客戶合作，預期LPDDR NV-RAM 解決方案將在 2009 年面市。ARM 處理器部門營運暨光纖 IP 副總裁 Keith Clarke 表示，LPDDR-NVM 接口具有顯著優(yōu)勢，使開發(fā)人員得以實現ARM*架構的移動應用。ARM與恒憶密切合作，使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 動態(tài)存儲控制器能夠搭配恒憶Velocity LP NV-RAM 解決方案，主要合作伙伴目前也已經順利采用此款產品。

以軟件與封裝提高價值

除了提供創(chuàng)新的 NVM 硅產品外，恒憶也提供創(chuàng)新的軟件解決方案。它所推出的高級 XIP 文件系統(tǒng) (AXFS，Advanced XIP File System)讓軟件設計人員和架構人員能夠運用單一文件系統(tǒng)，支持 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技術，以及日后的 PCM 型產品。AXFS 軟件可壓縮未使用的代碼頁，協(xié)助設計人員得以在特定密度下多獲得 50%的儲存量，并最優(yōu)化設計過程中的系統(tǒng)層級效能與成本，同時減少 RAM 需求以降低系統(tǒng)功耗。

通過創(chuàng)新的封裝技術，恒憶運用單一的封裝層迭（package-on-package）解決方案提升共享 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的優(yōu)勢，設計人員可結合處理器推出高性能而低成本的存儲解決方案。在同一總線安裝 RAM 和 Velocity LP NV-RAM，恒憶使存儲器能夠相互堆棧，節(jié)省電路板的實體空間或「存儲體積」