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如何設(shè)計(jì)不足15毫米超薄型筆記本適配器?(二)

作者: 時(shí)間:2009-11-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  當(dāng)今的電腦正在向超薄型發(fā)展,這一趨勢(shì)帶給系統(tǒng)工程師的最大挑戰(zhàn)是超薄。如何以一個(gè)合理的成本出能夠裝入厚度不足15毫米機(jī)殼中的?如何對(duì)它進(jìn)行有效的散熱設(shè)計(jì)?以及如何使它滿足最新的能源之星標(biāo)準(zhǔn)及其它全球性能效標(biāo)準(zhǔn)?要克服所有這些挑戰(zhàn)并非易事。請(qǐng)看PI技術(shù)專家是如何解決這些難題的。

  本文第一部分討論了反激式轉(zhuǎn)換器的一種創(chuàng)新設(shè)計(jì)方法,接下來(lái)我們討論如何降低嚴(yán)重影響效率的開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題。

  PWM控制在高功率水平下可提供較高的效率;但當(dāng)功率水平下降到中低水平時(shí),效率將會(huì)隨之降低。我們可以通過(guò)分析開(kāi)關(guān)電源中損耗產(chǎn)生的原因來(lái)探究其中的緣由。電源中有兩種基本損耗:電流流動(dòng)產(chǎn)生的阻性損耗,以及電路中電感和電容負(fù)載產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。阻性損耗是電流均方根(RMS電流)的函數(shù),因此,當(dāng)功率水平較高時(shí),阻性損耗就相當(dāng)大。開(kāi)關(guān)損耗與開(kāi)關(guān)頻率成比例。因此一般情況下,當(dāng)功率水平較低時(shí),將會(huì)出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗(隨頻率變化而變化),從而嚴(yán)重限制電源的效率。

  將開(kāi)關(guān)頻率保持在較低水平可以降低開(kāi)關(guān)損耗。不過(guò),通過(guò)提高頻率可以減小某些元件(如變壓器、輸出電容和后級(jí)LC濾波器等)的尺寸,這一點(diǎn)對(duì)于設(shè)計(jì)薄型很有利。PI推出的TOPSwitch-HX可以解決這一難題。集成在TOPSwitch-HX器件中的700VMOSFET采用特殊制造技術(shù),使其能夠在132kHz下進(jìn)行開(kāi)關(guān),其總體損耗要比以更低頻率工作的其它同類MOSFET產(chǎn)品低得多。

  利用這種132kHz的開(kāi)關(guān)能力,PI研發(fā)出了一種名為SlimCore的薄型變壓器骨架。這樣就可以在薄型應(yīng)用中采用低成本的線繞變壓器。

  本文第三部分將討論如何利用TOPSwitch來(lái)優(yōu)化所有功率水平下的開(kāi)關(guān)頻率和RMS電流,敬請(qǐng)關(guān)注。



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