飛思卡爾新產(chǎn)品引領高性能射頻技術發(fā)展
無線技術的便利性已經(jīng)得到所有人的認可,無線技術的優(yōu)勢也通過技術的不斷演進變得越來越明顯,從而帶動整個無線市場的快速普及。射頻不是一個簡單的元器件,而是一個涉及多個半導體器件的解決方案。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/247059.htm作為這個市場的領導者之一,飛思卡爾半導體提供廣泛的射頻低功率產(chǎn)品組合,滿足目前復雜且具有挑戰(zhàn)性的應用及市場需求。從通用放大器、增益模塊、信號控制產(chǎn)品到功能豐富的低噪聲放大器和高性能RFIC,飛思卡爾利用各種基于III-V的技術和先進的SiGe芯片工藝為客戶提供解決方案,滿足無線基礎設施、無線通信、蜂窩通信、工業(yè)、科學和醫(yī)療、汽車及其他市場等多樣化的市場需求:
1.可靠性/耐用性/穩(wěn)定性
• 關鍵任務應用
• 嚴酷、非受控環(huán)境
2.降低設備尺寸
• 更小的車型
• 降低安裝成本
3.在不增加設備尺寸的前提下增加性能
• 降低安裝成本
• 多頻段 / 多模移動無線電
在射頻應用中,無線電通信是其中最重要的一個,隨著無線電通信逐漸在可靠性/耐用性/穩(wěn)定性等方面的苛刻要求,以及降低設備尺寸和安裝成本的要求,還有增加多頻段和多模移動無線電的需求,所需要的射頻技術的標準也越來越嚴格,包括信號發(fā)射功率大,系統(tǒng)的整體效率高,線性特性要好,增益要高,同時系統(tǒng)的成本和復雜度也要盡可能小,尺寸也不能太大等等。飛思卡爾的技術優(yōu)勢主要體現(xiàn)在幾個方面,包括:
1.廣泛的器件適用范圍廣
• 電壓:3.5V to 50V
• 頻率:10MHz to 4GHz
• 功率 >1200W
2.針對不同應用的半導體材料
• Si-LDMOS(廣泛適用中大功率)
• GaN(適用大功率,高頻高效高成本)
• GaAs(適用低功率,多級多集成)
3.提高的健壯性和可靠性
• 峰值電壓:原65V的提高到70V
• 失配駐波:可達到 65:1
• 結(jié)溫:從200?C 提高到 225? C
4.領先的封裝
• 在陶瓷和塑封,都提高了功率密度
• 提高了超模塑封器件的電性能
• 集成更多的功能和級數(shù)
5.提供LDMOS、GaN和GaAs供客戶充分選擇,雖然LDMOS占據(jù)海量發(fā)貨的蜂窩通信的主導地位。
為了適應市場應用的需求,充分發(fā)揮飛思卡爾在射頻功率器件和系統(tǒng)方案上的優(yōu)勢,飛思卡爾針對最新的射頻需求推出了兩款全新的產(chǎn)品:MMZ25333B和AFT05MS006N。
評論