高通堵聯(lián)發(fā)科 4G軍備戰(zhàn)再升級
高通臺灣區(qū)總裁張力行表示,將推以20奈米制程生產(chǎn)的第4代4G晶片,技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先全球。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/247306.htm聯(lián)發(fā)科自本月正式量產(chǎn)出貨最新4G雙晶片公板設(shè)計,正積極朝向中高階智慧型手機市場發(fā)展。全球手機晶片龍頭大廠高通則提升4G晶片的技術(shù)天花板來因應(yīng),高通全球副總裁暨臺灣區(qū)總裁張力行指出,當競爭對手目前仍在第一代的階段,「我們的新晶片再次拉開與他們的距離」。
聯(lián)發(fā)科自本月正式量產(chǎn)出貨最新4G數(shù)據(jù)晶片MT6592,并將在2個月后正式量產(chǎn)出貨4G系統(tǒng)單晶片MT6595,業(yè)內(nèi)幾乎看好聯(lián)發(fā)科將在4G時代縮短與高通之間的距離。不過,高通則透過多場全球4G-LTE產(chǎn)品藍圖媒體會試著說明,這段距離并未縮短。
張力行表示,高通的第一代4G晶片在2010年推出,為數(shù)據(jù)晶片。2012年第二代4G晶片正式進入系統(tǒng)單晶片時代,包括MSM8960及MSM8930。在去年推出第三代的4G(LTE Advanced)晶片,有高階的MSM8974,以及目前銷售熱賣的中階產(chǎn)品MSM8926,就目前的全球4G晶片競爭態(tài)勢來看,高通除了擁有競爭對手至今仍未具備的第三代4G晶片技術(shù)之外,目前正持續(xù)領(lǐng)先全球,推出以20奈米制程生產(chǎn)的首顆第四代4G晶片。
張力行進一步指出,第四代4G晶片(LTE Advanced CAT6)的傳輸速度是300Mbps以上,將較第三代的150Mbps再快上2倍,也較第二代快上3倍。由于4G使用者對傳輸速度的要求一再提升,因此目前全球已完成4G布建的韓國、美國、歐洲等電信營運商也將在今年下半年進入第四代4G技術(shù),預料屆時4G智慧型手機市場也將明確分出高、中、低階市場,而高通的競爭對手想進入中高階市場也將遇到技術(shù)上的瓶頸。
針對目前科技產(chǎn)業(yè)正熱的物聯(lián)網(wǎng)話題,張力行指出,手機之后,包括穿戴式裝置的物聯(lián)網(wǎng)商機將成為IC銷售的新趨動力,高通亦是不會錯過。高通除了自有面板技術(shù)Mirasol以及智慧型手表Toq之外,亦已具穿戴式裝置的低功耗晶片,最快下一季即可見終端產(chǎn)品上市。
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