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半導(dǎo)體設(shè)備支出將連續(xù)兩年呈雙位數(shù)增長(zhǎng)

作者: 時(shí)間:2014-07-10 來(lái)源:SEMI 收藏
編者按:  半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)在經(jīng)歷連續(xù)2年的支出衰退困境后,上半年形勢(shì)開(kāi)始出現(xiàn)逆轉(zhuǎn)。晶圓代工、邏輯IC以及閃存等業(yè)者不斷增加的投資活動(dòng),再次提振設(shè)備支出。

  在晶圓代工、以及記憶體業(yè)者大舉投資的帶動(dòng)下,全球支出有望連續(xù)兩年出現(xiàn)雙位數(shù)的成長(zhǎng)率。國(guó)際材料協(xié)會(huì)(SEMI)7日發(fā)布新聞稿公布,2014年全球支出有望年增20.8%至384億美元,并于2015年進(jìn)一步成長(zhǎng)10.8%至超過(guò)426億美元。其中,2015年的半導(dǎo)體設(shè)備支出將是歷史次高,僅次于2000年的477億美元。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/249506.htm

  SEMI表示,半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)在經(jīng)歷連續(xù)2年的支出衰退困境后,晶圓代工、業(yè)者對(duì)20奈米以下制程技術(shù)的投資活動(dòng),以及NAND型快閃記憶體(NANDFlash)業(yè)者對(duì)先進(jìn)技術(shù)(包括3DNAND)的投入、DRAM業(yè)者對(duì)行動(dòng)應(yīng)用的升級(jí),再度成為帶動(dòng)設(shè)備支出上揚(yáng)的原動(dòng)力。另外,覆晶封裝、晶圓植凸塊以及晶圓級(jí)封裝的產(chǎn)能擴(kuò)充活動(dòng),也提振了半導(dǎo)體設(shè)備的支出。

  SEMI認(rèn)為,世界各地的半導(dǎo)體設(shè)備支出都有望在2015年上揚(yáng)。根據(jù)預(yù)測(cè),2015年屬于前端制程的晶圓加工設(shè)備支出有望從2014年的311億美元上升11.9%至348億美元,測(cè)試設(shè)備、組裝與封裝設(shè)備的支出則會(huì)分別成長(zhǎng)至31億美元(年增1.6%)、26億美元(年增1.2%)。

  根據(jù)SEMI預(yù)測(cè),臺(tái)灣將持續(xù)成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備支出國(guó),2014年與2015年的支出額將分別達(dá)到116億美元、123億美元。另外,北美2014年的支出額則達(dá)72億美元、南韓緊跟在后為69億美元。到了2015年,南韓支出會(huì)達(dá)80億美元,北美則是73億美元。

  SEMI預(yù)估,在2014年,半導(dǎo)體設(shè)備支出額年增率最高的將是中國(guó)大陸(47.3%),其次則是北美(35.7%)、南韓(33%)與歐洲(29.7%)。另外,2015年增幅最大的則會(huì)是歐洲(47.8%),其次則是日本(15.6%)、南韓(15%)。

  下表是SEMI對(duì)2014年、2015年各種半導(dǎo)體設(shè)備以及各國(guó)設(shè)備支出的預(yù)估值(單位為十億美元):

半導(dǎo)體設(shè)備支出將連2年呈雙位數(shù)增長(zhǎng)

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