ARM指令尋址方式之： 內(nèi)存訪問(wèn)指令尋址
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6．[Rn]，±Rm>
（1）編碼格式
指令的編碼格式如圖4.29所示。
圖4.29 雜項(xiàng)內(nèi)存訪問(wèn)指令——后索引寄存器偏移尋址編碼格式
指令訪問(wèn)地址為實(shí)際的基址寄存器的值。當(dāng)指令的執(zhí)行條件滿(mǎn)足時(shí)，將基址寄存器的值加/減索引寄存器Rm的值回寫(xiě)到Rn基址寄存器。
（2）語(yǔ)法格式
LDR|STR{cond>}H|SH|SB|D Rd>，[Rn]，±Rm>
其中：
· Rn為基址寄存器，該寄存器包含內(nèi)存訪問(wèn)的基地址；
· Rm>為偏移地址寄存器，包含內(nèi)存訪問(wèn)地址偏移量。
（3）操作偽代碼
Address = Rn
If conditionPassed{cond} then
If U = = 1 then
Rn = Rn + Rm
Else
Rn = Rn – Rm
（4）說(shuō)明
① 程序寄存器r15被指定為Rm或Rn，指令的執(zhí)行結(jié)果不可預(yù)知。
② 如果Rm和Rn指定為同一寄存器，指令的執(zhí)行結(jié)果不可預(yù)知。
4.2.3 批量Load/Store指令尋址方式
批量Load/Store指令將一片連續(xù)內(nèi)存單元的數(shù)據(jù)加載到通用寄存器組中或?qū)⒁唤M通用寄存器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到內(nèi)存單元中。
批量Load/Store指令的尋址模式產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)存單元的地址范圍，指令寄存器和內(nèi)存單元的對(duì)應(yīng)關(guān)系滿(mǎn)足這樣的規(guī)則，即編號(hào)低的寄存器對(duì)應(yīng)于內(nèi)存中低地址單元，編號(hào)高的寄存器對(duì)應(yīng)于內(nèi)存中的高地址單元。
指令的語(yǔ)法格式如下。
LDM|STM{cond>}addressing_mode> Rn>{!}，registers>^>
指令的尋址方式如表4.6所示。
表4.6 批量Load/Store指令的尋址方式
格 式 | 模 式 | |
1 | IA（Increment After） | 后遞增方式 |
2 | IB（Increment Before） | 先遞增方式 |
3 | DA（Decrement After） | 后遞減方式 |
4 | DB（Decrement Before） | 先遞減方式 |
指令的編碼格式如圖4.30所示。
圖4.30 批量Load/Store指令編碼格式
編碼格式中各標(biāo)志位的含義如表4.7所示。
表4.7 批量Load/Store指令編碼格式各標(biāo)志位含義
位標(biāo)識(shí) | 取 值 | 含 義 |
P | P=0 | Rn包含的地址，是所要訪問(wèn)的內(nèi)存塊的高地址（U=0）還是低地址（U=1） |
P=1 | 標(biāo)識(shí)Rn所指向的內(nèi)存單元是否被訪問(wèn) | |
U | U=0 | Rn所指內(nèi)存單元為所要訪問(wèn)的內(nèi)存單元塊的高地址 |
U=1 | Rn所指內(nèi)存單元為所要訪問(wèn)的內(nèi)存單元塊的低地址 | |
S | S=0 | 當(dāng)程序計(jì)數(shù)器PC作為要加載的寄存器之一時(shí)，S標(biāo)識(shí)是否將spsr內(nèi)容拷貝到cpsr；對(duì)于不加載PC的load指令和所有store指令，S標(biāo)識(shí)特權(quán)模式下，使用用戶(hù)模式寄存器組代替當(dāng)前模式下寄存器組 |
S=1 | ||
W | W=0 | 數(shù)據(jù)傳送完畢，更新地址寄存器內(nèi)容 |
W=1 | ||
L | L=0 | Store指令 |
L=1 | Load指令 |
評(píng)論