美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開(kāi)發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。

美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的良好條件，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計(jì)，從2015年至2020年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的同比增長(zhǎng)率將達(dá)到39%，而且Market Research預(yù)計(jì)SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)將于2022年達(dá)到53億美元，同比增長(zhǎng)率38%。

新型SiC MOSFET器件

全新SiC MOSFET器件采用來(lái)自美高森美的專利技術(shù)，特別設(shè)計(jì)以幫助客戶開(kāi)發(fā)在更高頻率下運(yùn)行并提升系統(tǒng)效率的解決方案。

美高森美的專利 SiC MOSFET技術(shù)特性包括 ：

同級(jí)最佳的RDS(on)對(duì)比溫度

超低柵極電阻，最大限度減小開(kāi)關(guān)能耗

出色的最大開(kāi)關(guān)頻率

卓越的穩(wěn)定性和出色的短路耐受性

美高森美功率產(chǎn)品組總經(jīng)理Marc Vandenberg表示：“美高森美的1200V SiC MOSFET建立了全新的性能基準(zhǔn)，我們利用公司內(nèi)部的SiC制造能力，繼續(xù)擴(kuò)大SiC產(chǎn)品組合，為客戶提供創(chuàng)新的大功率解決方案。”

美高森美的1200V SiC MOSFET器件的額定電阻為 80mΩ和 50mΩ，通過(guò)同時(shí)提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247和SOT-227封裝，可為客戶提供更多的開(kāi)發(fā)靈活性 ：

APT40SM120B 1200V、80mΩ、40A、TO-247 封裝

APT40SM120J 1200V、80mΩ、40A、SOT-227封裝

APT50SM120B 1200V、50mΩ、50A、TO-247封裝

APT50SM120J 1200V、50mΩ、50A、SOT-227封裝

新型SiC MOSFET功率模塊

美高森美SiC MOSFET還可以集成進(jìn)公司擴(kuò)展的MOSFET功率模塊中，用于電池充電、航空航天、太陽(yáng)能、焊接和其它大功率工業(yè)應(yīng)用。新的功率模塊具有更高的工作頻率并提升了系統(tǒng)效率。

新型1700V肖特基二極管

美高森美的 SiC MOSFET器件也與公司完整的SiC肖特基二極管產(chǎn)品系列相輔相成，全新的1700V SiC肖特基二極管將產(chǎn)品線擴(kuò)展至1200V和650V以上，這些產(chǎn)品設(shè)計(jì)使用出色的鈍化技術(shù)，在室外和潮濕應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健性。