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基于安森美半導(dǎo)體的反激/升壓穩(wěn)壓器電信及醫(yī)療電源應(yīng)用方案

作者: 時間:2014-05-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

如今,電信及網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用中廣泛采用分布式電源架構(gòu),使電源供應(yīng)盡可能地貼近負(fù)載,從而為系統(tǒng)中的不同負(fù)載供電,并提供更高的可靠性、靈活性及散熱性能。為這些應(yīng)用提供寬廣范圍的分布式電源方案,其中既包括隔離型方案,也包括非隔離方案。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/258344.htm

本文重點(diǎn)介紹新推出的集成200 V功率晶體管和高壓啟動電路的隔離型反激/升壓。是小型化PWM開關(guān),用于反激、正激或升壓類電壓轉(zhuǎn)換電路。它集成了200 V功率MOSEFT管以及高壓啟動電路;外部可調(diào)開關(guān)頻率最高可到1 MHz,開關(guān)頻率可外同步。其它關(guān)鍵特性包括+/-1%的參考電壓精度、逐波限流點(diǎn)外部可調(diào)、可調(diào)的輸入欠壓和過壓保護(hù)、故障狀態(tài)下頻率回縮、集成電流采樣前沿消隱電路和過熱保護(hù)等。非常適合于24 V/48 V電信電源應(yīng)用,也可用于醫(yī)療系統(tǒng)隔離電源、以太網(wǎng)供電(PoE)、隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器次級端偏置電源、獨(dú)立式低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、低功率偏置電源、低功率升壓轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

NCP1032主要功能

1)高壓啟動電路和動態(tài)自供電

NCP1032內(nèi)部集成200 V電流源,當(dāng)VDRAIN電壓上升超過16.3 V時,電流源開始輸出12.5 mA的電流,對Vcc上的電容充電,Vcc電容充到10.5 V時電流源關(guān)斷;當(dāng)Vcc電壓降到7.55 V時內(nèi)部電流源再開通對Vcc電容再次充電。Vcc電容上的電壓可以維持芯片正常工作;高壓啟動和動態(tài)自供電電路省去了外部輔助電源電路,節(jié)省了成本和面積。

在大多數(shù)情況下,用戶都希望降低芯片自供電產(chǎn)生的功耗,這可以通過從變壓器的輔助繞組上取電來解決。Vcc上升到10.5 V時,芯片可以正常啟動,只要輔助繞組上產(chǎn)生的電壓可以維持Vcc在7.55 V以上,就可以避免內(nèi)部高壓電流源接通,從而降低功耗,這時芯片正常運(yùn)行;在輸出短路或過載狀態(tài)下,Vcc有可能下降到6.95 V以下,這時功率管關(guān)斷,芯片會進(jìn)入復(fù)位啟動模式,高壓電流源會開通對Vcc電容充電,Vcc上升到10.2 V時輸出會重新啟動。而在輸出過載時,Vcc在6.95 V以上時不會進(jìn)入復(fù)位啟動模式。圖1是高壓啟動電路。

啟動結(jié)束時,NCP1032會有1 V的過沖,如果想減小軟啟動結(jié)束時的過沖電壓,就要使COMP腳電壓從4.2V到穩(wěn)態(tài)值之間的轉(zhuǎn)換時間盡可能縮短,也就是說要加快補(bǔ)償響應(yīng)速度。

在較高頻率時,輸入功率會跟隨輸入電壓線性上升,這主要是因?yàn)镹CP1032的限流前沿消隱電路(LEB)及傳播延遲會使芯片至少有100ns導(dǎo)通時間,在工作頻率比較高的情況下,100ns的占空比時間有點(diǎn)大,會出現(xiàn)位移,輸入傳遞的功率也會比較大,造成高頻時的短路保護(hù)的功率有所增加。

NCP1032的限流設(shè)定包括前沿消隱電路,功率管的峰值電流用外部電阻進(jìn)行設(shè)定,圖3左邊是外部電阻設(shè)定電流值曲線。

2)軟啟動

NCP1032內(nèi)部集成的軟啟動電路可降低啟動過程中功率管上的電壓應(yīng)力和變壓器上的峰值電流。當(dāng)Vcc上升到10.5 V,欠壓保護(hù)釋放后,芯片進(jìn)入軟啟動過程。在軟啟動過程中,COMP電壓被箝位在4.2 V,功率管的峰值電流從57 mA開始逐個周期增加,直到電流上升到限流設(shè)定點(diǎn)后或COMP腳電壓下降到3.5 V時,輸出電壓進(jìn)入修正階段。

在軟啟動過程中,如果功率管電流上升到限流點(diǎn)之前輸出電壓上升到穩(wěn)定值,COMP腳電壓會下降3.5 V以下,則功率管電流不會上升到設(shè)定值。如果功率管電流上升到限流點(diǎn)后,輸出電壓還沒有上升到設(shè)定值,則功率管電流會限定在限流設(shè)定值,不會再增加。軟啟動時間和輸入電壓、負(fù)載大小和輸出電容容量相關(guān)。

3)過壓(OV)和欠壓(UV)保護(hù)

NCP1032有過壓/欠壓管腳,用于輸入電壓的過壓/欠壓保護(hù),管腳6電壓低于1 V或高于2.4 V時,NCP1032功率管會關(guān)斷,芯片通過內(nèi)部高壓電流源進(jìn)行動態(tài)自供電,直到過壓/欠壓釋放為止。欠壓保護(hù)和過壓保護(hù)分別有70mV和158mV的遲滯。NPC1032兩個版本中,NCP1032B只有欠壓,沒有過壓保護(hù)功能。圖5是過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)的設(shè)定方法及工作方式。

4)最大占空比和頻率外同步

NCP1032內(nèi)部振蕩器設(shè)計可以支持最高1 MHz的工作頻率,工作頻率設(shè)定與外部電容CT設(shè)定同步,芯片內(nèi)部產(chǎn)生電容充電的放電電流源,充電電流為172μA,放電電流為512μA,充放電時間比例為1:3,充電電壓峰值為3.5V,放電電壓谷值為3V。

在放電過程中,功率管是關(guān)斷的,因此該器件支持的最大占空比被限制在75%以下。NCP1032支持頻率的外同步,CT設(shè)定的工作頻率要比同步頻率低25%,見圖6。

5)輸入電壓前饋

輸入電壓前饋使轉(zhuǎn)換器可以快速響應(yīng)輸入電壓的變化,NCP1032通過CT腳也可以支持輸入電壓前饋功能,如圖7。前饋電阻的存在會改變最大占空比和工作頻率。如果想將最大占空比設(shè)定在固定值,RFF可以接固定電壓。

6)最小占空比可跳周期

NCP1032內(nèi)部的PWM比較器和鎖存器延時時間在200 ns以內(nèi),如果占空比小于200 ns,芯片會進(jìn)入跳周期模式來保證輸出電壓穩(wěn)定,但輸出電壓紋波可能會有增加。

NCP1032的典型應(yīng)用

顯示的是基于NCP1032的48 V到隔離式12 V/3 W偏置電源電路。此電路通過輔助繞組供電,同時在輔助繞組上進(jìn)行電壓采樣補(bǔ)償。NCP1032配置在反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,并以不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)工作,提供了一個低成本、高效率的解決方案。變壓器T1可采用CoilCraft B0226EL,增加繞組可以支持多路隔離電壓輸出;CCT將開關(guān)頻率設(shè)置為約300 kHz。具體的設(shè)計過程可以參考的應(yīng)用指導(dǎo)AND8119。由R3和R4組成的電阻分壓器設(shè)置欠壓鎖定閾值約為32 V。如圖9所示,在12 V應(yīng)用中,在300 kHz不同輸入電壓條件下,NCP1032的輸出的效率是不同的。

在布局建議方面,為了防止EMI問題,高頻開關(guān)的大電流銅線應(yīng)進(jìn)行優(yōu)化。因此,功率電流路徑和電源地線,尤其是變壓器的走線連接(以次側(cè)和二次側(cè))要使用短而寬的引線。圖10是優(yōu)化的PCB布局實(shí)例。

為了幫助用戶充分發(fā)揮NCP1032的優(yōu)勢,安森美半導(dǎo)體還提供其它設(shè)計工具支持,包括NCP1032評估板、NCP103x設(shè)計表格、應(yīng)用指導(dǎo)AND8119,以及Pspice仿真模型。在這些工具的支持下,工程師可以簡化設(shè)計過程,加快各種輔助電源的上市時間。


總結(jié)

安森美半導(dǎo)體為解決二次側(cè)控制方案需要初級側(cè)啟動IC的問題,推出了集成200 V功率管和高壓啟動電路的反激/升壓調(diào)整器NCP1032,它可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的二次IC供電,廣泛用于PoE、-48 V通信系統(tǒng)和太陽能逆變器等應(yīng)用。

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