LDO環(huán)路穩(wěn)定性及其對射頻頻綜相噪的影響

第一章中我們已經(jīng)討論了LDO加一個前饋電容可以有效的提高電源的環(huán)路穩(wěn)定性，從而降低LDO的輸出噪聲頻譜密度。基于此，我們在TPS7A8101輸出加一個0.47 ？F的前饋電容，修改后的原理圖如下圖12所示。

針對修改前后的設(shè)計，我們對比測試了相應(yīng)的TRF3765相噪曲線，如圖13所示，由圖可見，增加0.47 ？F輸出電容后，1KHz到10MHz的RMS抖動由0.62ps提高到0.49ps.

4結(jié)論

綜合以上兩組測試的測試結(jié)果，可以得到下表

由表1可以看到，由于TPS74401的噪聲頻譜密度最小，在給頻綜供電的時候可以取得最好的相噪性能；TPS7A8101噪聲頻譜密度相對較大，在給頻綜供電的時候取得的相噪性能相對較差；但是通過優(yōu)化TPS7A8101的輸出電路設(shè)計，頻綜的相位噪聲得到了明顯的改善。

實測結(jié)果很好的驗證了前文的理論分析，即：LDO的噪聲頻譜密度參數(shù)（NSD）決定了由電源噪聲引起的VCO相噪惡化；通過提高LDO的環(huán)路穩(wěn)定性可以達到降低噪聲頻譜密度的目的，從而改善頻綜的輸出相噪。

5、參考文獻[1] LDO Noise Examined In Detail （SLAA412）

[2] LDO Noise Demystified （SLYT489）

[3] Externally Inducted VCO Phase Noise， DENNIS COLIN， Mica Microwave

[4] TPS74401 Datasheet （SBVS066M）

[5] TPS7A8101 Datasheet （SBVS179A）