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功率分配系統(tǒng)(PDS)設(shè)計(jì):利用旁路電容/去耦電容(一)

作者: 時(shí)間:2007-05-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

簡介

設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)功率分配系統(tǒng)()時(shí),面臨著一個(gè)獨(dú)特的任務(wù)。大多數(shù)其他大型、高密度IC(如大型微處理器)對(duì)旁路電容都有非常明確的要求。由于這些器件僅為執(zhí)行其存儲(chǔ)的特定任務(wù)而設(shè)計(jì),所以其電源需求是固定的,僅在一定范圍內(nèi)有所波動(dòng)。但不具備這種屬性。可以不確定的頻率、跨越多個(gè)時(shí)鐘域,運(yùn)行幾乎無限多的應(yīng)用,因此,預(yù)測其瞬態(tài)電流需求是一個(gè)非常復(fù)雜的過程。

由于無法確知一個(gè)新的FPGA設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電流的變化情況,在設(shè)計(jì)第一個(gè)FPGA 時(shí),唯一的選擇就是采用保守的最壞情況設(shè)計(jì)法。

數(shù)字器件中的瞬態(tài)電流需求是產(chǎn)生接地反彈的原因,也是高速數(shù)字設(shè)計(jì)的死對(duì)頭。在低噪聲或高功率情況下,電源去耦網(wǎng)絡(luò)必須根據(jù)這些瞬態(tài)電流需求準(zhǔn)確地度身定制,否則,接地反彈和電源噪聲將超出FPGA的限值。每種FPGA設(shè)計(jì)產(chǎn)生的瞬態(tài)電流不盡相同。本應(yīng)用指南介紹了一種全面的設(shè)計(jì)方法,適用于滿足特定FPGA設(shè)計(jì)的個(gè)別需要的旁路網(wǎng)絡(luò)。

這個(gè)過程的第一步就是檢查FPGA的利用率,大致了解其瞬態(tài)電流要求。

接下來,保守地設(shè)計(jì)一個(gè)滿足這些要求的去耦網(wǎng)絡(luò)。第三步,通過模擬和修正電容數(shù)量和額定值,精細(xì)調(diào)整這個(gè)去耦網(wǎng)絡(luò)。第四步,完成全部設(shè)計(jì);第五步,測量設(shè)計(jì)。測量包括利用示波器和頻譜分析儀檢測電源噪聲。取決于測得結(jié)果,可能有必要再次重復(fù)元件選擇和模擬步驟,以優(yōu)化這個(gè)針對(duì)特定應(yīng)用的。第六步是可選步驟,適用于要求完美的PDS的情況。

去耦網(wǎng)絡(luò)基本原理

在開始進(jìn)入PDS設(shè)計(jì)流程之前,必須理解所涉及的基本電氣原理。這部分討論了PDS的用途及其組件的屬性。此外,還介紹了獨(dú)立式電容的布局和貼裝等重要方面,以及關(guān)于PCB的幾何形狀和疊層的建議。

PDS旨在向一個(gè)系統(tǒng)中的各種器件提供電源。系統(tǒng)中的每個(gè)器件不僅各有適于其運(yùn)行的電源要求,而且對(duì)該電源的噪聲也有特定要求。大多數(shù)電子器件,包括所有的Xilinx FPGA,均有一個(gè)適用于所有電源的要求,即上下波動(dòng)的幅度不得超過額定值的5%。在本文檔中,通常是指FPGA的所有電源:VCCINT、 VCCO、VCCAUX和VREF。本文未涉及千兆位級(jí)收發(fā)器(MGT)模擬電源(AVCCAUXTX、AVCCAUXRX、VTTX、VTRX)。關(guān)于這些電源的特定說明,請(qǐng)參閱《RocketIO™收發(fā)器用戶指南》(參考書目#1)。

這個(gè)要求規(guī)定了最高電源噪聲,通常稱為“波紋電壓”。如果器件的電源要求為VCC不得超過額定值的±5%,就表示,峰間波紋電壓不得超過額定VCC的10%。這個(gè)結(jié)論假設(shè)額定VCC就是技術(shù)規(guī)格表中給出的額定值。如果不是,那么就必須將VRIPPLE調(diào)節(jié)至額定值10%以內(nèi)的相應(yīng)值。

數(shù)字器件的功耗會(huì)隨時(shí)間的推移而變化,變化頻率范圍廣泛。功耗的低頻率變化通常是在啟用或禁用器件和器件的較大部分時(shí)發(fā)生。發(fā)生這種情況的時(shí)間標(biāo)度可以從數(shù)毫秒到幾天。功耗的高頻率變化則是器件內(nèi)部獨(dú)立元件的切換動(dòng)作引起的,這種變化取決于時(shí)鐘頻率的標(biāo)度以及時(shí)鐘頻率最初的諧波。

由于一個(gè)器件的VCC電壓水平是固定的,所以變化的電源需求將表現(xiàn)為變化的電流需求。PDS必須適應(yīng)這種電流消耗的變化,并且盡可能減少電源電壓的變化。

當(dāng)器件的電流消耗發(fā)生變化時(shí),功率分配系統(tǒng)不能立即對(duì)變化做出響應(yīng)。在PDS響應(yīng)之前的短時(shí)間內(nèi),該器件的電源電壓將發(fā)生變化,從而產(chǎn)生電源噪聲。PDS響應(yīng)延遲的主要原因有兩個(gè),分別對(duì)應(yīng)于PDS的兩個(gè)主要元件。

PDS的第一個(gè)主要元件是穩(wěn)壓器。穩(wěn)壓器負(fù)責(zé)檢測PDS的輸出電壓并調(diào)節(jié)輸出的電流量,以保持電壓恒定。大多數(shù)常見的穩(wěn)壓器都在數(shù)毫秒到數(shù)微秒之間完成這種調(diào)節(jié)。對(duì)于各種頻率的變化,從直流到幾百千赫,穩(wěn)壓器在保持輸出電壓穩(wěn)定性方面非常有效(取決于穩(wěn)壓器)。對(duì)于頻率超出這個(gè)范圍的所有瞬態(tài)事件,在穩(wěn)壓器響應(yīng)新的電源需求之前,存在一段時(shí)滯。例如,如果器件的電流需求在幾毫微秒之間突然增加了,那么,在穩(wěn)壓器調(diào)節(jié)至器件需要的新的、更高電流之前,該器件的電壓將有所下降。這段延遲的時(shí)間從數(shù)微秒到數(shù)毫秒之間不定,這個(gè)過程中,電壓將降低。

PDS的第二個(gè)主要元件是旁路電容或去耦電容。在本應(yīng)用指南中,“旁路”和“去耦”兩個(gè)詞可以互換。這種元件的功能是作為器件的本地能源存儲(chǔ)器。這種元件不能提供直流電源,因?yàn)樗鼈冎荒艽鎯?chǔ)少量電能(穩(wěn)壓器的作用是提供直流電源)。這個(gè)本地能源存儲(chǔ)器的功能是以極快的速度響應(yīng)變化的電流需求。在從數(shù)百千赫到數(shù)百兆赫的頻率范圍內(nèi),電容可以在幾毫秒到毫微秒之間,有效地保持電源電壓。對(duì)于超出這個(gè)范圍的變化,去耦電容則無能為力。例如,如果器件的電流需求在幾微微秒內(nèi)突然提高,那么,在電容能夠向器件提供額外電量之前,該器件的電壓將有所下降。如果器件的電流需求改變了,并在數(shù)毫秒內(nèi)保持新的水平,那么,與旁路電容并行運(yùn)行的穩(wěn)壓電路將有效地接替這些電容,并調(diào)節(jié)自己的輸出電壓,滿足新的電流需求。

圖1顯示了PDS的主要元件:電源、去耦電容和接通電源正在運(yùn)行的器件(在本例中,是一個(gè)FPGA芯片)。

圖1:簡化的PDS電路圖

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/258864.htm
圖2是一個(gè)更加簡化的PDS電路圖,顯示了分解為頻率相關(guān)電阻的所有電抗元件。

圖2:更加簡化的PDS電路圖


電感的作用是什么?

電容和PCB電流通道的屬性之一就是延遲電流變化。因此,電容不能立即響應(yīng)瞬態(tài)電流,或者高于其有效頻率范圍的變化。這種屬性稱為電感。

可以將電感視作電荷的動(dòng)量。其中,電荷在導(dǎo)體中以一定速率移動(dòng),代表一定量的電流。如果電流水平發(fā)生變化,那么,電荷就必須以不同的速率移動(dòng)。由于該電荷有一定的動(dòng)量(保存的磁場能量),因此,要在一段時(shí)間后電荷才能實(shí)現(xiàn)減速或加速。電感越強(qiáng),對(duì)改變的阻力就越強(qiáng),從而使得電流需要更長時(shí)間才能發(fā)生變化。

PDS的目的是滿足器件可能有的任何電流需求,并盡可能迅速地響應(yīng)這種電流需求的變化。如果未能滿足這種電流需求,那么,器件的電源電壓就會(huì)發(fā)生變化。這就是電源噪聲。由于電感會(huì)阻礙旁路電容迅速響應(yīng)變化的電流需求的能力,所以應(yīng)當(dāng)最大限度地降低電感。

圖1顯示了FPGA和電容之間的電感和電容和穩(wěn)壓器之間的電感。這種電感是電容自身以及PCB中的所有電流通道的寄生現(xiàn)象。必須最大限度地降低所有這些電感。

電容寄生電感

在電容的各種屬性中,通常認(rèn)為電容值是最重要的。然而,在PCB PDS設(shè)計(jì)領(lǐng)域,寄生電感屬性(ESL,即等效串聯(lián)電感)與電容值同樣重要,甚或更為重要。

影響寄生電感的一個(gè)重要因素是封裝的尺寸。一般而言,極為簡單、體積小巧的電容的寄生電感低于體積較大的電容。就像較短的電線產(chǎn)生的電感低于較長的電線,較短的電容產(chǎn)生的電感也低于較長的電容。同樣地,就像較粗或較寬的電線產(chǎn)生的電感低于較細(xì)的電線,較粗的電容產(chǎn)生的電感也低于較細(xì)的電容。

由于這些原因,在選擇去耦電容時(shí),應(yīng)當(dāng)選擇特定額定值中體積最小的封裝。類似地,對(duì)于特定封裝尺寸(尤其是固定的電感值),應(yīng)當(dāng)選擇采用該封裝的電容中電容值最高的。

表面安裝式芯片電容是目前市場中體積最小的電容,因此,是分立式旁路電容的理想選擇。對(duì)于低于2.2 μF的極小的電容值,如0.001 μF,通常使用X7R或X5R型電容。這些電容具備很低的寄生電感和可接受的溫度特性。對(duì)于較高的電容值,如1000 μF,則使用鉭電容。這種電容具備較低的寄生電感和相對(duì)較高的等效串聯(lián)電阻(),使其具備較低的品質(zhì)因素,從而能夠提供范圍廣泛的有效頻率。鉭電容不僅具備相當(dāng)高的電容值,而且封裝尺寸也不大,從而降低了板上空間占用。如果沒有鉭電容可用,可以使用低電感電解電容。具備類似特性的其他新技術(shù)也可使用。

真正的電容具備多種特性,包括電容值、電感以及電阻。圖3顯示了一個(gè)真正的電容的寄生模式。應(yīng)當(dāng)將一個(gè)真正的電容視作一個(gè)電路。

圖3:真正的、而不是理想的電容的寄生現(xiàn)象

圖4顯示了一個(gè)真正的電容的阻抗特性。在這張圖中的重合的兩條曲線對(duì)應(yīng)于電容的電容值和寄生電感(ESL)。這兩條曲線共同構(gòu)成了因電容的寄生效應(yīng)而產(chǎn)生的該電路的總阻抗特性。
圖4:寄生效應(yīng)對(duì)總阻抗特性的貢獻(xiàn)
隨著電容值的增加,電容曲線將逐漸下降,并向左移動(dòng)。隨著寄生電感的降低,電感曲線也將逐漸下降,并向右移動(dòng)。由于采用特定封裝的各種電容的寄生電感基本上是固定的,該電感曲線也保持固定。如果選擇了采用該封裝的不同電容值的電容,其電容曲線將相對(duì)于該固定的電感曲線向上或向下移動(dòng)。降低采用特定封裝的電容的總阻抗的唯一方法就是降低其電容值。使寄生電感曲線向下移動(dòng)(從而降低總阻抗特性)的唯一方法,就是并聯(lián)多個(gè)電容。


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