TPS79918 RF LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲器（P30）的升級
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
德州儀器TPS79918低壓降線性穩(wěn)壓器（LDO）可為英特爾（Intel）新型StrataFlash P30嵌入式存儲器提供核心動力所需的性能。Intel正在將其采用0.18微米工藝的第三代StrataFlash嵌入式存儲器（J3）升級至采用0.13微米的第四代StrataFlash嵌入式存儲器（P30）。此新型嵌入式存儲器已將所需VCC電壓降至1.8V，因此存儲器從J3升級至P30可使得系統(tǒng)的總體工作電流消耗較低。Intel在其應用手冊AP812中建議使用LDO提供新的1.8V電壓軌。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/258891.htm
評論