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基于SiC器件的高效E類功率放大器

作者: 時間:2014-07-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/259352.htm

5 仿真及實驗結(jié)果

采用諧波平衡法對電路進行仿真分析。首先要驗證功率放大器是否工作在E類狀態(tài),這可以從晶體管漏極電流和電壓是否正交來確定。圖4是仿真得到的漏極電壓和電流的曲線,晶體管的漏極電流和電壓的峰值不同時出現(xiàn),符合E類功放的工作條件。兩個波形的正交性并不理想,這主要是因為輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)所帶來的偏差。

圖4功放漏極電流和漏極電壓的曲線

依據(jù)仿真電路圖,采用介電常數(shù)為2.65高頻板材的制作實際電路版圖,如圖5所示。實驗中采用了RFHIC公司生產(chǎn)的RFC1G18H4-24芯片作為前極驅(qū)動放大器,使待測功率放大器的輸入功率可以達到34dBm,測量中所用的衰減器的大小為32.5dBm。本文使用Maxim公司生產(chǎn)的MAX868芯片,給電路提供所需的負(fù)偏置直流電壓,經(jīng)過仿真分析和調(diào)試優(yōu)化,選擇-9V電壓作為電路的負(fù)偏置電壓。

將功放的工作頻率設(shè)為1GHz,在恒定輸入功率為2.5W的情況下,改變功放的工作電壓,研究功放的輸出功率,漏極和附加相應(yīng)的變化,得到的仿真結(jié)果和實驗結(jié)果分別如圖6,圖7和圖8所示。仿真結(jié)果和實驗結(jié)果基本上是保持一致的,實驗得出的數(shù)據(jù)要稍微低于仿真得出的數(shù)據(jù),這是由于高頻板材的不理想所造成。

圖5 實際制作的

從圖6可看出,功放的輸出功率隨著工作電壓的增大而增大,在35V時,仿真的輸出功率達到47W,實驗結(jié)果也達到了32.5W。圖7顯示,漏極的曲線基本是平穩(wěn)的,說明輸出功率受工作電壓的影響不大,仿真結(jié)果在75%左右波動,實驗結(jié)果在60%左右波動,其中在工作電壓為15V時,可以達到最大效率68%。圖8所示的是附加效率曲線,可以看到在10V到35V范圍內(nèi)功放的附加效率呈現(xiàn)出很好的平坦性,這可以給功放的實際應(yīng)用帶來很大的便利。

圖6 輸出功率隨工作電壓的變化曲線



關(guān)鍵詞: SiCMESFET E類功率放大器 效率

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