光迅科技XFP數(shù)據(jù)通信模塊電磁兼容結構的研究

改善前的XFP模塊電磁騷擾場強在垂直方向的測試結果如圖3和表2所示：

圖3 改善前垂直方向測試圖

表2 改善前垂直方向測試數(shù)據(jù)

改善后的XFP模塊電磁騷擾場強在水平方向的測試結果如圖4和表3所示：

圖4 改善后水平方向測試圖

表3 改善后水平方向測試數(shù)據(jù)

改善后的XFP模塊電磁騷擾場強在垂直方向的測試結果如圖5和表4所示：

圖5 改善后垂直方向測試圖

表4 改善后垂直方向測試數(shù)據(jù)

由以上測試數(shù)據(jù)可見，改善后的電磁騷擾場強最大峰值下降了近2dBμV/m，平均值下降了近6dBμV/m。

光迅科技XFP數(shù)據(jù)通信模塊將電磁屏蔽設計作為重點考慮的內容。具體展開屏蔽設計時，先確定騷擾源的特征，再選擇合適的屏蔽材料，然后結合適當?shù)钠帘畏绞揭郧筮_到最佳的屏蔽效果。測試結果表明，模塊的電磁兼容性能得到了很大的改善，且模塊各項工作性能指標沒有受到任何影響。