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基于MEMS技術(shù)移動(dòng)電話射頻設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-01-10 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

 如果一款設(shè)計(jì)要能實(shí)現(xiàn)未來(lái)用戶所期望的各項(xiàng)廣泛服務(wù),創(chuàng)造性思維是不可或缺的;而許多產(chǎn)業(yè)觀察者認(rèn)為,微機(jī)電系統(tǒng)()將是實(shí)現(xiàn)這種設(shè)計(jì)的下一波技術(shù)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/260563.htm

  事實(shí)上,元件的推出已證實(shí)了其在大量消費(fèi)性市場(chǎng)應(yīng)用中的實(shí)用性,例如麥克風(fēng)和游戲機(jī)等。我們似乎可以歸納出一個(gè)結(jié)論:未能整合功能的系統(tǒng)就不算完整。因此,MEMS遂成為每一系統(tǒng)在實(shí)現(xiàn)其功能、彈性以及與外界互連時(shí)不可或缺的新類比元件。

  雖然摩爾定律描述了電晶體密度和運(yùn)算能力的進(jìn)展,但MEMS的整合將以較其更多倍的速度進(jìn)展,并將許多原先需要混合建置的功能直接整合在晶片上。

  射頻(RF)設(shè)計(jì)目前最強(qiáng)大的趨勢(shì)是推動(dòng)可配置/免頻帶的無(wú)線和天線設(shè)計(jì)。使RF元件可以數(shù)位化重新配置的優(yōu)點(diǎn)與需求逐漸增加,因此能夠精確且數(shù)位化地控制頻率和阻抗值,并持續(xù)對(duì)系統(tǒng)性能進(jìn)行最佳化。這種可配置的前端可在瞬間實(shí)現(xiàn)頻率和通訊標(biāo)準(zhǔn)的切換,同時(shí)重復(fù)使用相同的信號(hào)路徑。

  WiSpry 公司藉由結(jié)合MEMS技術(shù)和主流半導(dǎo)體製程技術(shù),打造出一款具有即時(shí)數(shù)位可調(diào)且具成本效益的低損耗RF電容器,實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)RF技術(shù)──真正的軟體定義無(wú)線電,其RF前端可透過(guò)基頻進(jìn)行數(shù)位化控制,且所有特殊標(biāo)準(zhǔn)功能都以數(shù)位信號(hào)處理(DSP)編程方式載入。一旦前端成為數(shù)位可調(diào)式,大多數(shù)的RF工程作業(yè)就可以轉(zhuǎn)向軟體部份,因而大幅減少硬體設(shè)計(jì)/再設(shè)計(jì)的數(shù)量和成本,并縮短手動(dòng)調(diào)整電路所花的時(shí)間。

  可編程前端RF可在多個(gè)平臺(tái)上使用,且由于新的響應(yīng)可被載入到平臺(tái)的韌體中,因此它甚至可以提供一些‘未來(lái)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)’。

  

  圖1:未能整合MEMS功能的系統(tǒng),似乎已稱不上是一完整的系統(tǒng)

  無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)

  目前,大多數(shù)無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)在頻譜分配方案規(guī)定的頻段內(nèi),采用兩種頻率光罩來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳送和接收──也稱為頻率雙工。由于頻譜分配存在地區(qū)性差異,加上全球彼此競(jìng)爭(zhēng)的無(wú)線通訊標(biāo)準(zhǔn)數(shù)量龐大且快速革新,使得全球平臺(tái)必須支援的頻率數(shù)量倍增。盡可能有效地利用無(wú)線頻譜,以及使用從前未用到的頻譜來(lái)支援新服務(wù),也在在引領(lǐng)頻率雙工的趨勢(shì)發(fā)展。

  然而,為了能夠接取到無(wú)線網(wǎng)路,各個(gè)裝置必須實(shí)現(xiàn)的技術(shù)需求始終如一。事實(shí)上,用于RF前端的高性能硬體方案必須能夠提供必要的選擇性、線性度和隔離,同時(shí)對(duì)電路的插入損耗和功耗要求最小化。

  一個(gè)典型的例子是為整合了7個(gè)頻段于一支手機(jī)中,至少需要5個(gè)獨(dú)立的RF元件組(鏈),其中包括多個(gè)天線,另外還需要8擲或更高階以上的開關(guān)用來(lái)選擇所需的執(zhí)行頻段。

  當(dāng)首款問(wèn)世,當(dāng)時(shí)還只是采用單頻的無(wú)線設(shè)計(jì),但手機(jī)用戶對(duì)于能夠遠(yuǎn)離座位撥打電話已感到相當(dāng)興奮,而RF設(shè)計(jì)人員也只需考慮單一的頻率設(shè)計(jì)。

  然而,隨著技術(shù)的快速進(jìn)展,為了支援暴增的手機(jī)用戶,雙頻手機(jī)頓時(shí)成了必備的功能。當(dāng)用戶開始攜帶手機(jī)旅行后,三頻、四頻和五頻的手機(jī)設(shè)計(jì)隨即成為一般的功能需求,并為設(shè)計(jì)人員增添了更多困擾。

  隨著更多頻段的增加,更多的RF設(shè)計(jì)途徑變得越來(lái)越難以解決各項(xiàng)衍生出來(lái)的問(wèn)題。體積、成本和復(fù)雜性的增加都還算是這些問(wèn)題中最為簡(jiǎn)單的。

  頻段覆蓋范圍是以趨近線性的速度而增加。首先,隨著交換式解決方案隨著射程數(shù)增加而持續(xù)改善,它以一種次線性的速度發(fā)展;其次,如同先前所述,每一代技術(shù)的進(jìn)展都不斷促使每一頻段元件體積縮小且成本降低;再者,許多個(gè)別元件如今都被整合成模組,雖然減少了開銷,但根本問(wèn)題并未獲得解決。

  如今,越來(lái)越多移動(dòng)電話產(chǎn)業(yè)均體認(rèn)到,單單沿用這個(gè)方案是無(wú)法解決問(wèn)題的。除了復(fù)雜性、尺寸和成本問(wèn)題外,多鏈路方案還會(huì)加重基礎(chǔ)性能的限制。

  每一鏈路所對(duì)應(yīng)的頻段或多或少有一些不同的阻抗特性。如果每一鏈路都有獨(dú)立的天線,整體鏈路便可以得到最佳化。然而,單獨(dú)的天線既占空間、成本又高,而且具有顯著的交叉藕合特性,因此,多條鏈路被迫以開關(guān)和濾波器結(jié)合成單一通道。

  由于在共用電路時(shí)可能造成折衷,即使采用完美的開關(guān),在加入新頻段時(shí)還要保持所有頻段的高性能也愈趨困難。

  另外,由于鏈路中的每個(gè)元件都有其特殊的固定頻率響應(yīng),因此僅能實(shí)現(xiàn)次佳化的頻帶邊緣性能。

  單鏈路解決方案

  如果采用可調(diào)式的RF前端元件,那麼上述所有問(wèn)題都可以避免,特別是針對(duì)目前所使用的通道可進(jìn)行單鏈路最佳化。

  單鏈路方案的好處正獲得廣泛的認(rèn)同,但在其建置過(guò)程依舊面臨挑戰(zhàn)。

  可調(diào)式前端元件的研究已發(fā)展了數(shù)十年,但這項(xiàng)必備的技術(shù)直到目前才逐漸成熟。傳統(tǒng)的問(wèn)題主要出在尺寸、成本、可重復(fù)性、可靠性和性能方面,各個(gè)問(wèn)題在早期也都獲得部份的解決;然而WiSpry公司首度為市場(chǎng)帶來(lái)完整的解決方案,并適用于低成本的量產(chǎn)市場(chǎng)。
WiSpry公司率先將高Q值(high-Q)MEMS電容器元件整合到主流RF CMOS制程技術(shù)中,實(shí)現(xiàn)了大量生產(chǎn)、低成本制程以及高性能RF MEMS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

  個(gè)別的電容器元件以具有數(shù)位可變氣隙的微小平行排列電容整合在晶片上。個(gè)別旁路或串列元件整合為電容值單元,接著形成可包含任一獨(dú)立單元組合的陣列,最終形成了具有良好電器特性的數(shù)位化電容器;其電容值比(最大/最小)超過(guò)10且Q值在1GHz時(shí)超過(guò)200以上。

  該元件的制造得益于CMOS半導(dǎo)體制程技術(shù)的最新進(jìn)展。WiSpry公司正使用一種無(wú)晶圓制程模式,在可大量生產(chǎn)的主流8吋RF CMOS晶圓上,以單晶片整合可編程數(shù)位化電容器技術(shù),因而免除了傳統(tǒng)高性能MEMS技術(shù)上因尺寸和成本帶來(lái)的困擾。

  該制程流程還包含晶圓級(jí)封裝,讓代工廠提供的晶圓成品可在傳統(tǒng)的自動(dòng)化后端處理過(guò)程(如凸點(diǎn)制作、薄化、切片、封裝和測(cè)試)中直接使用,而使得高可靠性的終端產(chǎn)品制造可藉由傳統(tǒng)RF半導(dǎo)體制程來(lái)實(shí)現(xiàn)。

  

  圖2:個(gè)別旁路或串列元件整合為電容值單元,接著形成可包含任一獨(dú)立單元組合的陣列,最終形成了具有良好電器特性的數(shù)位化電容器;其電容值比(最大/最?。┏^(guò)10且Q值在1GHz時(shí)超過(guò)200以上。

  無(wú)需外部電路

  那么這些元件是如何執(zhí)行的?設(shè)計(jì)人員又如何使用這項(xiàng)技術(shù)呢?

  由于這些元件的性能如同一個(gè)整合串列介面的high-Q電容器一樣,因此不需要外部電路。所有支援MEMS單元的功能都被整合在晶片上。

  透過(guò)串列匯流排載入一個(gè)包含數(shù)位化電容器單元所需設(shè)置的數(shù)位字元后,內(nèi)部邏輯和驅(qū)動(dòng)電路將會(huì)立即使電容值設(shè)置為特定值。

  這種編程能在高速下重復(fù)設(shè)置,以制作出大量應(yīng)用中所需的動(dòng)態(tài)RF功能。

  隨著可編程晶片與其他高Q值的被動(dòng)、主動(dòng)元件及支援電路被整合成客制化模組,WiSpry公司也將利用所產(chǎn)生的平臺(tái)為完整的RF前端提供可編程特性。

  這項(xiàng)工作將從具有頻率可變和失配調(diào)整功能的天線開始著手,接著RF鏈路上的其他問(wèn)題也將迎刃而解。



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