賽普拉斯和華力微電子展示可工作的采用55納米嵌入式閃存IP的硅光電池

　　嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司，與中國(guó)最先進(jìn)的專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)上海華力微電子公司(HLMC)日前共同宣布，雙方基于賽普拉斯55納米工藝節(jié)點(diǎn)的SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)，開(kāi)發(fā)出可工作的硅光電池。這些硅光電池是為智能卡和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。賽普拉斯的SONOS能帶來(lái)較低的晶圓和裸片成本，以及無(wú)與倫比的用于未來(lái)深入開(kāi)發(fā)的可擴(kuò)展性。這一技術(shù)和設(shè)計(jì)IP將于2015年下半年提供給HLMC的大批量投產(chǎn)的客戶(hù)。

　　HLMC于2014年1月獲得了賽普拉斯55納米SONOS嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(NVM)的工藝授權(quán)許可。該技術(shù)與其他嵌入式NVM方案相比具有顯著的優(yōu)勢(shì)。為了插入標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝，SONOS只需三層掩膜，而其他的嵌入式閃存技術(shù)則需要另外的9到12層。掩膜數(shù)量的減少意味著更低的制造成本。當(dāng)加入到CMOS工藝之后，SONOS并不改變標(biāo)準(zhǔn)的器件特性或模式，因而能保護(hù)已有的IP。SONOS具有與生俱來(lái)的高良率和業(yè)界最佳的可靠性，10年的數(shù)據(jù)保存期，10萬(wàn)次編程、擦除壽命，以及對(duì)軟錯(cuò)誤的強(qiáng)大容錯(cuò)性能。賽普拉斯已成功展示了將SONOS擴(kuò)展至40納米和28納米節(jié)點(diǎn)的能力，從而加速了未來(lái)IP的開(kāi)發(fā)進(jìn)程。

　　HLMC副總裁Jack Qi Shu說(shuō)：“我們很高興能用賽普拉斯的55納米SONOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)這一里程碑式的突破。這將為我們的客戶(hù)帶來(lái)顯著的價(jià)值。SONOS是一項(xiàng)性?xún)r(jià)比很高的工藝，能實(shí)現(xiàn)很高的良率。其可靠性和效率對(duì)于批量很大的互聯(lián)網(wǎng)和智能卡應(yīng)用而言非常重要。”

　　賽普拉斯技術(shù)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)事業(yè)部副總裁Sam Geha說(shuō)：“我們與HLMC一起用SONOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)55納米硅光電池，充分證明了這一技術(shù)的可擴(kuò)展性和設(shè)計(jì)便利性，以及HLMC在制造領(lǐng)域的專(zhuān)長(zhǎng)。SONOS的低成本、高性能和可靠性對(duì)于快速成長(zhǎng)的智能卡、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)、銀行卡、可穿戴電子設(shè)備和其他邏輯主導(dǎo)的產(chǎn)品而言，是非常理想的選擇。賽普拉斯將和HLMC這樣的市場(chǎng)領(lǐng)先者精誠(chéng)合作，使SONOS成為業(yè)界嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)的首選。”