研調(diào)：明年DRAM產(chǎn)值估增16%，產(chǎn)業(yè)獲利能力看升

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange預(yù)估，全球2015年DRAM產(chǎn)值將達(dá)541億美元，年增16%，為市場(chǎng)穩(wěn)定、獲利成長(zhǎng)的一年。DRAMeXchange指出，受惠于全球智慧型手機(jī)持續(xù)熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式記憶體，預(yù)估2014年行動(dòng)式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年更有機(jī)會(huì)突破40%大關(guān)。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示，拜行動(dòng)式記憶體需求暢旺所賜，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出相對(duì)減少，反倒讓模組價(jià)格始終維持在高價(jià)水位，2014年4GB模組均價(jià)約32美元，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體毛利率平均達(dá)40%以上;各DRAM廠也將朝向全面獲利的狀態(tài)，寡占市場(chǎng)格局與需求端市場(chǎng)變化都將牽動(dòng)2015年DRAM產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展。

　　DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)為寡占市場(chǎng)結(jié)構(gòu)，僅存的三大DRAM廠皆以獲利導(dǎo)向?yàn)閮?yōu)先，謹(jǐn)慎控制產(chǎn)出與產(chǎn)品類別的調(diào)整，加上全球智慧型手機(jī)持續(xù)維持高度成長(zhǎng)，亦讓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向行動(dòng)式記憶體，擠壓到標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的產(chǎn)出，讓標(biāo)準(zhǔn)型記憶體市場(chǎng)價(jià)格維持高價(jià)水位，儼然成為DRAM廠的金雞母，因此在獲利方面都交出亮眼的成績(jī)單。

　　而三星與SK 海力士不約而同在2014年宣布擴(kuò)建新廠的消息，產(chǎn)能競(jìng)賽再起的傳聞甚囂塵上，但事實(shí)上，DRAMeXchange指出，三星在擴(kuò)建Line17的同時(shí)，Line16 DRAM產(chǎn)能已悄悄縮減并歸還給NAND事業(yè)部使用。而SK海力士M14預(yù)計(jì)在明年第四季才有少量投片，較大規(guī)模的投片將在2016年才會(huì)浮現(xiàn)。整體而言，由于市場(chǎng)需求仍會(huì)持續(xù)成長(zhǎng)，工廠只是為未來(lái)需求而興建，只要投片產(chǎn)出是有計(jì)劃性的，后續(xù)價(jià)格雖然會(huì)逐季下降，但只要制程轉(zhuǎn)進(jìn)持續(xù)進(jìn)行，DRAM廠獲利仍能夠保持在現(xiàn)有水位。

　　除此之外，2014年智慧型手機(jī)走入平價(jià)化，不少高規(guī)低價(jià)機(jī)種在全球市場(chǎng)攻城掠地，讓新興市場(chǎng)掀起一股智慧型手機(jī)的換機(jī)潮。郭祚榮表示，在智慧型手機(jī)市場(chǎng)不停擴(kuò)大的同時(shí)，2015年行動(dòng)式記憶體市占也逼近全球市場(chǎng)的40%，相較于標(biāo)準(zhǔn)型記憶體27%的占比，行動(dòng)式記憶體已躍升全球DRAM市場(chǎng)主流產(chǎn)品。另一方面，從行動(dòng)式記憶體做觀察，2015年主流規(guī)格仍是LPDDR3，產(chǎn)出量達(dá)60%以上，而新規(guī)格LPDDR4將在明年首度應(yīng)用在旗艦智慧型手機(jī)機(jī)種，無(wú)論省電機(jī)制與時(shí)脈更勝LPDDR3，預(yù)計(jì)2015年市占率將達(dá)到15%。

　　DRAMeXchange并指出，韓系DRAM廠25nm制程在2014年下半年已邁入成熟期，無(wú)論良率與投片規(guī)模都成為DRAM主流規(guī)格。至于20nm制程，三星已進(jìn)入驗(yàn)證階段，SK海力士預(yù)計(jì)在明年第二季初進(jìn)入市場(chǎng);相較之下，美光目前規(guī)劃只有華亞科 (3474)才有20nm制程的標(biāo)準(zhǔn)型記憶體，轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度較兩大韓廠落后，目標(biāo)2015年底達(dá)到80K投片量。由于進(jìn)入20nm制程需要更多的設(shè)備來(lái)生產(chǎn)，意味著需要更多的資本支出，然而在獲利導(dǎo)向下，各廠20nm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)比重將會(huì)趨緩。

　　DRAMeXchange認(rèn)為，在英特爾強(qiáng)勢(shì)主導(dǎo)與DRAM廠的全力配合下，DDR4記憶體將在伺服器領(lǐng)域率先切入。郭祚榮表示，伺服器記憶體除了穩(wěn)定性的要求外，近期更著墨于低電壓與速度兼顧。根據(jù)JEDEC的規(guī)范，DDR4電壓值僅有1.2V，未來(lái)速度更可高達(dá)3200 Mhz。而價(jià)格部分也正與伺服器用DDR3逐步貼近，DRAMeXchange預(yù)計(jì)，DDR4最快于2015年底取代DDR3，正式成為伺服器市場(chǎng)記憶體主流。