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鎖定巨量數(shù)據(jù)應(yīng)用 三星加快量產(chǎn)DDR4、TLC SSD

作者: 時(shí)間:2014-12-11 來(lái)源:Digitimes 收藏

  電子(Samsung Electronics)為迎接巨量資料(Big Data)時(shí)代的來(lái)臨,將以資料儲(chǔ)存半導(dǎo)體事業(yè)一決勝負(fù),目標(biāo)擬以 DRAM和3D V-NAND為基礎(chǔ)的固態(tài)硬碟()列為核心產(chǎn)品。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/266686.htm

  據(jù)韓國(guó)Inews 24報(bào)導(dǎo),總括負(fù)責(zé)半導(dǎo)體事業(yè)部的DS部門將擴(kuò)編人力,在集團(tuán)底下成立巨量資料中心,并依照產(chǎn)品分析消費(fèi)者的喜好程度等,強(qiáng)化事業(yè)力量。

   DRAM相較于DDR3,待機(jī)電流減少30%、耗電量減少35%,是能源使用效率高的產(chǎn)品。資料傳輸速度也較DDR3快2倍以上,可大幅提升資料傳輸量,作為次世代服務(wù)器DRAM解決方案。

  報(bào)導(dǎo)引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出,2015年市占率將較2014年成長(zhǎng)5倍以上,達(dá)10.3%,至2016年將以25.8%超越DDR3的23.3%。

  于2013年8月投入信息中心資料庫(kù)(Enterprise Server)專用高速20納米級(jí)DDR4模組量產(chǎn)作業(yè),10月也成功領(lǐng)先全球量產(chǎn)20納米8Gb DDR4服務(wù)器用DRAM。三星計(jì)劃通過(guò)最快2014年底完工的華城17產(chǎn)線供應(yīng)DRAM,以12寸晶圓計(jì)算,每月可生產(chǎn)4萬(wàn)~6萬(wàn)片。

  三星2014年第3季的DRAM市占率季增18.4個(gè)百分點(diǎn),達(dá)41.7%,營(yíng)收50.19億美元,在DRAM領(lǐng)域位居全球第一。

  三星2015年將量產(chǎn)以3-bit V-NAND為基礎(chǔ)的,最快2015年第1季將通過(guò)大陸西安半導(dǎo)體廠開(kāi)始供應(yīng)。3-bit V NAND是采用TLC技術(shù)的高性能NAND Flash,將傳統(tǒng)呈現(xiàn)平面的半導(dǎo)體Cell傳質(zhì)堆迭,擴(kuò)大可儲(chǔ)存的信息容量。1個(gè)Cell可儲(chǔ)存的信息量較SLC多8倍,同時(shí)達(dá)到成本縮減30%以上的效果。

  近來(lái)在半導(dǎo)體市場(chǎng)上,SSD價(jià)格持續(xù)滑落,三星計(jì)劃以具性能和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的TLC SSD創(chuàng)造獲利。IHS資料指出,256GB SSD平均銷售價(jià)格(ASP)在2014年第3季為124美元,較2013年同期的171美元下滑27.5%。

  三星內(nèi)部人員表示,三星2015年將推出搭載3-bit V-NAND的服務(wù)器用SSD及一般消費(fèi)等級(jí)SSD系列產(chǎn)品,無(wú)論在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力和性能方面,都較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更具優(yōu)勢(shì)。



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