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Yole:2019年覆晶LED滲透率破三成

作者: 時間:2014-12-12 來源:新電子 收藏

  市場研究機構(gòu)Yole Developpement指出,(Flip Chip)技術(shù)可大幅降低發(fā)光二極體()晶粒成本,且散熱效果較現(xiàn)今利用MESA蝕刻制程或垂直式結(jié)構(gòu)開發(fā)的晶粒更佳,因此包括韓國、日本、美國及臺灣等地的制造商皆開始擴大采用;預計2014年占總體晶粒出貨量約15%,2019年則可望躍升至32%。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/266713.htm

  



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