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IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

作者: 時間:2014-12-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能,使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計,適合12V輸入同步降壓應用,包括先進的電信和網(wǎng)絡通信設(shè)備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/266916.htm

  

 

  IRFH4257D采用IR的新一代硅技術(shù)和封裝專利技術(shù),以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ,帶來一流的功率密度和更低的開關(guān)損耗。

  IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“與IR的其它FastIRFET器件一樣,IRFH4257D可與各種控制器或驅(qū)動器共同操作,為單相位或多相位應用提供靈活的設(shè)計,同時實現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列,設(shè)計師可選擇能滿足其設(shè)計要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”

  IRFH4257D符合工業(yè)級標準和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準,所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

  

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關(guān)鍵詞: 國際整流器 MOSFET DC-DC

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