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X波段間接式頻率綜合器的設計

作者: 時間:2014-12-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

  1 引言

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/267446.htm

  頻率源是所有電子系統(tǒng)(雷達、通訊、測控、導航等)的基本信號來源,其主要包括固定頻率源和合成頻率源兩類。其中合成頻率源又稱頻率合成(綜合)器,按其構成方式可分為直接式和間接式。采用鎖相環(huán)(PLL)技術的間接頻率合成器目前應用最為廣泛。直接模擬頻率合成器(DAS)采用倍頻器、分頻器、混頻器及微波開關來實現(xiàn)頻率合成,具有最優(yōu)的近端相位噪聲和高速捷變頻特性,但結構復雜、成本昂貴的特點限制其只能應用于雷達等高端領域。直接數(shù)字合成器()目前也得到了廣泛應用,但高性能產(chǎn)品的輸出頻率還有待提高,在微波領域其往往與鎖相技術結合以混合方式實現(xiàn)微波頻率合成。鎖相技術與直接式倍頻器或相結合的混合式頻率合成器在提高系統(tǒng)性能的同時降低了DAS合成方式的成本,已逐漸取代部分DAS合成頻率源應用在高性能頻率源領域。

  2 主要功能、技術指標和方案分析

  2.1 主要功能及技術指標

  根據(jù)技術要求,該頻綜器的輸出信號包括一本振、主振等五路輸出信號;二本振、主振信號分別為L波段、的寬帶捷變頻輸出,一本振信號為的固定頻率輸出,另一路為15MHz固定頻率TTL電平輸出,并具有主振輸出預調(diào)制、BPSK等功能,所有輸出頻率共用一個恒溫晶體振蕩器作為參考源,以確保各路輸出頻率相參。主振信號的主要技術指標如下:

  輸出頻率:(帶寬大于200MHz)

  頻率間隔:15MHz

  輸出功率:10dBm±1dB

  跳頻時間:≤50μs

  雜波抑制:≤-70dBc

  相噪(dBc/Hz):-95 @1kHz -100 @10kHz

  -100 @10kHz -125 @1MHz

  2.2 方案分析

  由于系統(tǒng)對頻綜器的相位噪聲指標要求比較高,所以針對固定輸出或內(nèi)部使用的頻率點,我們采用DAS技術,通過分頻、倍頻、混頻、濾波、放大等方式,得到所需要的輸出頻率。針對捷變頻輸出,因為相位噪聲指標要求比較高,輸出頻率點較多,達12個頻率點,而跳頻時間要求≤50μs,所以采用單環(huán)PLL技術,先得到二本振(LO2)信號,再從二本振耦合一路輸出與微波基準(PDRO)混頻,將輸出頻率搬移到高頻頻段上,即可得到主振信號,這樣做可保持相噪最佳,以保證二本振和主振信號的相位噪聲和跳頻時間指標。通過設計小體積的濾波器、微封裝的放大器、開關等,合理地選擇頻率,配置功率電平,可充分發(fā)揮DAS低相噪和PLL捷變頻的優(yōu)點,并且能夠滿足雜波抑制等技術指標的要求。

  

 

  (a)模塊劃分

  

 

  (b)總體框圖

  圖1 X波段組成框圖

  通過以上分析,我們將頻綜器分成兩個模塊,其組成框圖如圖1所示。中頻源模塊通過分頻、倍頻、鎖相、濾波、放大等相應處理,產(chǎn)生100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號;微波源模塊主要是利用中頻源模塊產(chǎn)生的100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號,通過混頻、鎖相、濾波、放大等相應處理,得到主振 (FT)等信號。

  (1)相位噪聲特性分析

  對于恒溫晶振,考慮到各路信號的頻率穩(wěn)定度、相位噪聲要求以及15MHz輸出精度為±100Hz,我們選用的恒溫晶振的相位噪聲為£(1kHz)=-150dBc/Hz,設定頻率精度為±0.5 ppm,溫度穩(wěn)定度為±0.5ppm,可以滿足要求。

  由于分頻器存在基底相噪,為-140dBc/Hz@lkHz,考慮到12倍頻對相噪的惡化,5、16分頻對相噪的改善,則-150+20lg12-20lg(5×16)優(yōu)于分頻器的基底相噪,則15MHz信號的相噪應為£(1kHz)=-140dBc/Hz左右,240MHz的相噪優(yōu)于-130dBc/Hz@lkHz是容易保證的。同理,在300MHz合成源中,對晶振信號的倍頻次數(shù)為3,則300MHz信號的相噪優(yōu)于-150+20lg3=-140dBc/Hz@lkHz。

  因15MHz的相位噪聲為£(1kHz)=-140dBc/Hz,而PLL中鑒相器ADF4106的相噪基底約為-146dBc/Hz@1kHz,PLL的分頻比為N<80,所以LO2的相噪優(yōu)于£(1kHz)=-140+20lg80=-102dBc/Hz。

  因240MHz的相位噪聲優(yōu)于-130dBc/Hz@1kHz,且PDRO對晶振信號的倍頻次數(shù)<100,則它的相噪至少可達到-150+(20lg100+3)=-107dBc/Hz@1kHz,經(jīng)過一級混頻后,考慮到混頻環(huán)節(jié)對相位噪聲的影響,則LO1的相位噪聲優(yōu)于£(1KHz)=-107+3=-104dBc/Hz,可以滿足技術指標的要求。

  同樣地,經(jīng)過兩級混頻后,考慮到混頻環(huán)節(jié)對相位噪聲的影響,則主振信號的相位噪聲優(yōu)于£(1KHz)=-102+3=-99dBc/Hz,可以滿足技術指標的要求。

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