LED襯底第三代半導體SiC技術(shù)的崛起

　　第一代半導體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。

　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以SiC為代表的第三代半導體材料憑借其優(yōu)異屬性，將成為突破口，正在迅速崛起。

　　SiC作為一種寬禁帶半導體材料，不但擊穿電場強度高、熱穩(wěn)定性好，還具有載流子飽和漂移速度高、熱導率高等特點，可以用來制造各種耐高溫的高頻、高效大功率器件，應用于Si器件難以勝任的場合。

　　以SiC為代表的第三代寬禁帶半導體技術(shù)在LED半導體照明領(lǐng)域獲得重要應用之后，不斷取得新突破，將被廣泛應用于光電子器件、電力電子器件等領(lǐng)域，以其優(yōu)異的半導體性能在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域都將發(fā)揮重要革新作用，應用前景和市場潛力巨大。

　　其中，科銳(Nasdaq： CREE)SiC基MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)技術(shù)獲得顯著提升，能夠在1700V電壓下工作，開關(guān)損耗僅為采用傳統(tǒng)Si基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的1/6，在實現(xiàn)高性能的同時還能減少配套零部件的物料成本，從而在系統(tǒng)層面顯著節(jié)約開支，可完全顛覆電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域現(xiàn)有規(guī)則，開啟更多令人振奮的設計選項。