高交會上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。

　　東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。

　　NAND集成趨勢不可擋

　　移動設(shè)備用存儲產(chǎn)品引導(dǎo)著NAND的發(fā)展趨勢，而更高程度的集成勢不可擋。東芝上半年已經(jīng)發(fā)布了15nm 128Gb的MLC產(chǎn)品，集成度進(jìn)一步提升。該產(chǎn)品可以向客戶級SSD、企業(yè)級SSD以及消費類產(chǎn)品等廣泛的應(yīng)用提供支持。東芝的超高性能UFS v2.0的存儲器樣品也已推出，繼續(xù)引領(lǐng)存儲技術(shù)潮流。

　　除了在移動設(shè)備、數(shù)字電視、數(shù)字?jǐn)z像、工業(yè)中的廣泛應(yīng)用，東芝還把e•MMCTM產(chǎn)品擴展到了汽車中。在車載信息娛樂系統(tǒng)中，東芝導(dǎo)航卡完全具有與標(biāo)準(zhǔn)SD存儲卡相同的功能特性，如“塊管理”、ECC糾錯以及損耗均衡等。

　　除了MLC和MMC產(chǎn)品，東芝還率先提供24nm工藝的SLC NAND和BENAND產(chǎn)品，在該工藝下，可靠性和成本優(yōu)勢提升，用戶可以降低BOM成本并獲得可持續(xù)的長期支持。

　　引領(lǐng)下一代UFS產(chǎn)品市場

　　憑借技術(shù)實力，東芝走在下一代UFS市場的前沿。

　　閃存的速度非?？?，臺式電腦和筆記本電腦上最新的閃存存儲裝置使用適當(dāng)?shù)慕涌诤笞x寫速度可以達(dá)到每秒約500MB。為了提升智能手機、平板電腦、電子書閱讀器等移動設(shè)備的讀取和寫入速度，2013年電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)發(fā)布了第二代通用閃存存儲標(biāo)準(zhǔn)UFS 2.0，該標(biāo)準(zhǔn)下的閃存讀寫速度可以高達(dá)每秒1400MB，這相當(dāng)于在兩秒鐘內(nèi)讀寫兩個CD光盤的數(shù)據(jù)，不僅相比e•MMCTM有巨大的優(yōu)勢，它甚至能夠讓電腦上使用的閃存存儲介質(zhì)固態(tài)硬盤也相形見絀，因而，業(yè)界認(rèn)為該標(biāo)準(zhǔn)會在2015年成為移動設(shè)備的主流標(biāo)準(zhǔn)。

　　東芝展示了超高性能UFS v2.0的存儲器樣品，新的產(chǎn)品可以實現(xiàn)讀寫速度上的大幅提升，連續(xù)讀取速度可以達(dá)到650MB/s，連續(xù)寫入速度可以達(dá)到180MB/s?？磥頄|芝已經(jīng)為未來發(fā)力準(zhǔn)備好了。

　　走向3D結(jié)構(gòu)的閃存

　　近些年，閃存速度/容量的提升及成本的降低主要依靠制造工藝的進(jìn)步。但麻煩的是，隨著工藝的進(jìn)步，對于存儲芯片來說，發(fā)生了更為要命的問題：工藝越先進(jìn)閃存芯片性能反而越差。因為在相同的空間內(nèi)要針對更多單元做充放電的動作，電荷干擾很嚴(yán)重，完成數(shù)據(jù)讀寫的延時就變大，數(shù)據(jù)處理時的錯誤率也在上升。

　　田中基仁表示，2014年東芝已經(jīng)開始量產(chǎn)15nm工藝NAND閃存。但在提升閃存的性能和降低成本上，15nm已經(jīng)是極限，下一代存儲技術(shù)將會向3D架構(gòu)發(fā)展。在3D時代，閃存的架構(gòu)就顯得格外重要。目前，東芝除了正在繼續(xù)開發(fā)基于浮動?xùn)偶軜?gòu)的先進(jìn)制程工藝外，同時也在通過研發(fā)3D結(jié)構(gòu)的存儲單元(BiCS)，進(jìn)一步加速芯片的大容量化。