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DDR4能否引領(lǐng)新一輪存儲(chǔ)變革?

作者: 時(shí)間:2015-02-04 來(lái)源:集微網(wǎng) 收藏
編者按:臺(tái)灣曾將DRAM視為支柱產(chǎn)業(yè),但隨著移動(dòng)設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的火爆,需求朝向更小、更省電的方向,而非速度跟效率。若能掌握新趨勢(shì),未來(lái)臺(tái)灣廠商在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍將大有可為。

  臺(tái)灣的產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺(tái)灣科技界指標(biāo)性產(chǎn)業(yè),但近幾年的供需市場(chǎng)產(chǎn)生很大的變化。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory,)是常見(jiàn)的內(nèi)存組件。固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標(biāo)準(zhǔn),(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM,也就是DDR3的發(fā)表,已有5年之久。對(duì)于產(chǎn)品日新月異,瞬息萬(wàn)變的科技業(yè)而言,5年是非常久的時(shí)間。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/269436.htm

  

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  標(biāo)準(zhǔn)模塊展示(圖片來(lái)源:www.techradar.com)

  文/徐文芝

  臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺(tái)灣科技界指標(biāo)性產(chǎn)業(yè),但近幾年DRAM的供需市場(chǎng)產(chǎn)生很大的變化。

  2013年美光(Micron Technology Group)并購(gòu)日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)后,全球DRAM生產(chǎn)幾乎由前三大公司:三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占,僥幸存活的少數(shù)廠商只能轉(zhuǎn)而幫其他大廠代工,或是改為生產(chǎn)具有市場(chǎng)利基的產(chǎn)品。如今行動(dòng)裝置與物聯(lián)網(wǎng)重新帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)需求,朝向更小、更省電的方向邁進(jìn),若能掌握這股新趨勢(shì),未來(lái)臺(tái)灣廠商在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還是大有可為。

  動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常見(jiàn)的內(nèi)存組件。在處理器相關(guān)運(yùn)作中,DRAM經(jīng)常被用來(lái)當(dāng)作數(shù)據(jù)與程序的主要暫存空間。相對(duì)于硬盤(pán)或是閃存(Flash Memory),DRAM具有訪問(wèn)速度快、體積小、密度高等綜合優(yōu)點(diǎn),因此廣泛的使用在各式各樣現(xiàn)代的科技產(chǎn)品中,例如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、游戲機(jī)、影音播放器等等。

  自1970年英特爾(Intel)發(fā)表最早的商用DRAM芯片-Intel 1103開(kāi)始,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步與科技產(chǎn)品的演進(jìn),DRAM標(biāo)準(zhǔn)也從異步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、進(jìn)展到上下緣皆可觸發(fā)的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。

  每一代新的標(biāo)準(zhǔn),目的不外乎是針對(duì)前一代做以下的改進(jìn):?jiǎn)挝幻娣e可容納更多的內(nèi)存、數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣雀?、以及更少的耗電量。更小、更快、更省電,是半?dǎo)體產(chǎn)業(yè)永不停息的追求目標(biāo),當(dāng)然DRAM也不例外。

  固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標(biāo)準(zhǔn),(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM,也就是DDR3的發(fā)表,已有5年之久。

  對(duì)于產(chǎn)品日新月異,瞬息萬(wàn)變的科技業(yè)而言,5年是非常久的時(shí)間。2007年6月第一代iPhone問(wèn)世,同年DRAM產(chǎn)業(yè)宣布DDR3時(shí)代來(lái)臨;到了2012年,iPhone都已經(jīng)推進(jìn)到iPhone5了,DRAM才正式進(jìn)入DDR4,相比之下DRAM的進(jìn)步不得不說(shuō)相當(dāng)緩慢。

  隨著行動(dòng)裝置的盛行,個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)逐漸式微,加上缺乏可以刺激消費(fèi)者積極更新設(shè)備的應(yīng)用程序,這些因素都降低了大眾對(duì)新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)的渴望。

  即使新標(biāo)準(zhǔn)看起來(lái)有更多優(yōu)點(diǎn),但無(wú)法激起消費(fèi)者的購(gòu)買欲望,就沒(méi)有市場(chǎng),新一代DRAM的需求若不顯著,DRAM廠對(duì)于投入資金研發(fā)新技術(shù)的意愿就顯得意興闌珊,新標(biāo)準(zhǔn)的制定也就不那么急迫了。

  DDR4 PK DDR3

  即使緩步前進(jìn),DDR4終究還是來(lái)到大家的面前。新的標(biāo)準(zhǔn)必定帶來(lái)新的氣象,讓我們來(lái)看看DDR4與DDR3有什么不同之處:

  

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  圖二:DDR4標(biāo)準(zhǔn)與DDR3標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)單對(duì)照表(數(shù)據(jù)源:http://www.micron.com/products/dram/ddr3-to-ddr4)

  儲(chǔ)存容量:?jiǎn)我坏腄DR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲(chǔ)存空間,而每個(gè)DDR4模塊(module)最多可搭載8個(gè)DDR4芯片,比DDR3多一倍。也就是說(shuō),DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。主板上相同的位置,DDR4可容納更大的內(nèi)存容量;換個(gè)角度來(lái)說(shuō),在容量需求不變的情況下,DDR4所需的空間比DDR3要小。

  傳輸速度:DDR3的傳輸速度從800MHz(MHz=每秒百萬(wàn)次)到2188MHz不等;而DDR4的傳輸速度從2188MHz起跳,目前的規(guī)格定義到3200MHz,將來(lái)可望達(dá)到4266MHz。


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