2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營(yíng)收僅成長(zhǎng)2%

　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷(xiāo)端的壓力影響營(yíng)收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng)2%至87.5億美元。

　　DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。

　　三星電子

　　以各家供應(yīng)商表現(xiàn)來(lái)看，三星電子 2014年第四季 NAND Flash 位元出貨量較上季成長(zhǎng)5%，平均銷(xiāo)售單價(jià)季衰退近10%，營(yíng)收則微幅季衰退4.2%。2015年第一季位元出貨量雖受需求端淡季效應(yīng)的沖擊，將持續(xù)僅個(gè)位 數(shù)的成長(zhǎng)，但因固態(tài)硬碟業(yè)績(jī)成長(zhǎng)，加上3D-NAND Flash逐漸成熟，三星電子整年度的位元出貨成長(zhǎng)可望超過(guò)產(chǎn)業(yè)平均的35~40%。

　　三星電子2015年重點(diǎn)將放在擴(kuò)張固態(tài)硬碟市占率。企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的進(jìn)展將持續(xù)帶給龍頭英特爾極大威脅，而PC端的固態(tài)硬碟市場(chǎng)則隨著TLC-SSD的市占率逐步 攀升及筆記型電腦固態(tài)硬碟滲透率的提升，而展現(xiàn)出強(qiáng)勁的成長(zhǎng)動(dòng)能，預(yù)期固態(tài)硬碟位元出貨量將超越eMMC/eMCP，成為三星電子今年在NAND Flash中成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的應(yīng)用。而采用3D-NAND Flash的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟出貨持續(xù)成長(zhǎng)，PC端產(chǎn)品也預(yù)期在上半年完成主要PC-OEM業(yè)者端的認(rèn)證流程，今年下半年將順利量產(chǎn)出貨，拉開(kāi)與其他業(yè)者的 競(jìng)爭(zhēng)距離。

　　東芝電子

　　東芝2014年會(huì)計(jì)年度第三季(10~12月)的NAND Flash營(yíng)收雖勉強(qiáng)較上個(gè)季度持平，但在日?qǐng)A貶值、A19奈米制程良率提升與15奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn)持續(xù)的帶動(dòng)下，單季平均銷(xiāo)售單價(jià)低于預(yù)期，下降約7%，位 元出貨成長(zhǎng)率也較上個(gè)季度成長(zhǎng)6~7%，營(yíng)業(yè)利益率得以與上季持平，表現(xiàn)穩(wěn)健。其A19奈米制程的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟產(chǎn)品開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)，結(jié)合自家HDD的產(chǎn)品 線做整合性的銷(xiāo)售，取得不錯(cuò)的成績(jī)。

　　未來(lái)東芝將提升自有品牌SSD、eMMC/eMCP和記憶卡的銷(xiāo)售比重，并降低單純顆粒與晶圓銷(xiāo)售的 比重來(lái)提升利潤(rùn)。15奈米的制程轉(zhuǎn)進(jìn)持續(xù)進(jìn)行，預(yù)期產(chǎn)出比重可望在 2015年夏天提升至50%。今年度資本支出也維持不變，第五半導(dǎo)體廠將規(guī)劃為15奈米的大量制造與3D-NAND Flash的試產(chǎn)產(chǎn)線。

　　2014年第四季NAND Flash供應(yīng)商營(yíng)收排行

　　晟碟

　　制 程組合調(diào)整與客戶端銷(xiāo)售出現(xiàn)明顯落差，使單季位元出貨成長(zhǎng)率僅有4%季成長(zhǎng)，因此雖然平均銷(xiāo)售單價(jià)跌幅維持在4%，產(chǎn)品銷(xiāo)售營(yíng)收依舊較第三季微幅衰退 1.2%，整體毛利也從上季的47%衰退至43%。除部分OEM客戶持續(xù)維持在19奈米較為落后的制程外，主流客戶的固態(tài)硬碟與eMMC/eMCP產(chǎn)品均 已導(dǎo)入至1Y奈米，而15奈米預(yù)期在今年第三季初可達(dá)到整體產(chǎn)出的一半以上。

　　展望2015年，DRAMeXchange估計(jì)晟碟位元產(chǎn)出 成長(zhǎng)率將落在35~40%，而預(yù)期平均銷(xiāo)售單價(jià)跌幅與成本下滑的幅度均維持在20-22%年衰退，有助于利潤(rùn)率的穩(wěn)定。雖然2015年Client端固態(tài) 硬碟的銷(xiāo)售將出現(xiàn)挑戰(zhàn)，但因企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟快速成長(zhǎng)，整體固態(tài)硬碟的營(yíng)收比重依舊可穩(wěn)定維持在30%以上。

　　SK海力士

　　海 力士(Hynix)第四季位元出貨較第三季大幅成長(zhǎng)30%，第四季NAND Flash營(yíng)收季成長(zhǎng)13%至9.95億美元，成長(zhǎng)幅度高于產(chǎn)業(yè)平均，而平均銷(xiāo)售單價(jià)較上個(gè)季度僅微幅下滑8%，加上16奈米制程占比快速成長(zhǎng)，整體營(yíng)業(yè) 利益率也較第三季攀升，顯示海力士的NAND Flash部門(mén)表現(xiàn)已從谷底攀揚(yáng)。

　　展望2015年，海力士將明顯加強(qiáng)固態(tài)硬碟產(chǎn)品的銷(xiāo)售， 除了開(kāi)發(fā)企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的產(chǎn)品線外，TLC架構(gòu)的嵌入式產(chǎn)品也將自今年下半年起開(kāi)始量產(chǎn)出貨，因此海力士今年的NAND Flash位元出貨成長(zhǎng)率將高于均值，整體NAND Flash的產(chǎn)能將在今年第四季前提升至200k/m水準(zhǔn)。

　　美光

　　在 單季位元出貨大幅成長(zhǎng)20%的帶動(dòng)下，美光(Micron) 2015年會(huì)計(jì)年度第一季的NAND Flash營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)14%，但受到固態(tài)硬碟以及通路市場(chǎng)銷(xiāo)售不如預(yù)期的影響，平均銷(xiāo)售單價(jià)下滑幅度高于位元成本，使SBU (Storage Business Unit)的營(yíng)業(yè)利益率再度微幅下跌至2.6%。

　　展望 2015年第一季，隨著美光開(kāi)始逐漸調(diào)整產(chǎn)品組合來(lái)提升Mobile NAND的營(yíng)收比重，初期平均位元成本將微幅上升，而在產(chǎn)品組合調(diào)整的過(guò)渡期下利潤(rùn)控制將顯得更為重要;固態(tài)硬碟與零組件銷(xiāo)售也明顯受到其他業(yè)者TLC產(chǎn) 品的影響顯得壓力重重。16奈米MLC顆粒的出貨比重持續(xù)攀升，導(dǎo)入自有品牌SSD的速度也加快，TLC晶圓將在下個(gè)季度開(kāi)始出貨給模組廠外，TLC顆粒 導(dǎo)入自有品牌的固態(tài)硬碟也預(yù)期在今年下半年量產(chǎn)出貨。

　　英特爾

　　隨著歐美市場(chǎng)與中國(guó)電子商務(wù)進(jìn)入旺季高峰帶動(dòng)相關(guān)企業(yè)級(jí)固態(tài) 硬碟出貨的成長(zhǎng)，英特爾的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)持續(xù)暢旺，平均銷(xiāo)售單價(jià)降幅有限，位元出貨量也較第三季成長(zhǎng)10%以上。NAND Flash營(yíng)收則有10%的季成長(zhǎng)至6.1億美元，較去年同期則是大幅成長(zhǎng)25%以上。其16奈米制程的固態(tài)硬碟產(chǎn)品將在今年上半年量產(chǎn)出貨來(lái)降低成本， 而3D-NAND Flash應(yīng)用的固態(tài)硬碟產(chǎn)品也預(yù)期最快在第三季末可問(wèn)世，以鞏固英特爾在企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟龍頭的地位。