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18寸晶圓計(jì)劃踩煞車 ASML:現(xiàn)階段已無(wú)必要性

作者: 時(shí)間:2015-03-10 來(lái)源:DIGITIMES 收藏

  荷商微影設(shè)備大廠ASML在2012年提出的“客戶聯(lián)合投資專案”(Customer Co-Investment Program),廣邀臺(tái)積電、(Intel)和三星電子(Samsung Electronics) 三家半導(dǎo)體大廠投資入股研發(fā)18寸(450mm)機(jī)臺(tái)和極紫外光(EUV)機(jī)臺(tái),不過(guò),現(xiàn)在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)于18寸世代的來(lái)臨已無(wú)急迫需求, 研發(fā)資金會(huì)以12寸(300mm)的EUV機(jī)臺(tái)為主,18寸晶圓計(jì)劃已緊急踩煞車。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/270729.htm

  荷商微影設(shè)備大廠ASML在全球微影設(shè)備的市占率高達(dá)80%,也是全球唯一有能力量產(chǎn)EUV機(jī)臺(tái)的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商,主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手日廠尼康(Nikon)和佳能(Canon)都不是對(duì)手,因此,ASML身上也肩負(fù)著延續(xù)摩爾定律的使命。

  ASML為了延續(xù)半導(dǎo)體制程演進(jìn)和生產(chǎn)成本的逐漸下降,2012年發(fā)起的“客戶聯(lián)合投資專案”獲得、三星電子、臺(tái)積電入股投資,當(dāng)時(shí)的研發(fā)分為兩個(gè)部分,一是EUV機(jī)臺(tái)設(shè)備,另一是450mm機(jī)臺(tái)設(shè)備。

  但從2014年起,陸續(xù)傳出等針對(duì)旗下的450mm計(jì)劃喊停,臺(tái)積電也宣布投資ASML的階段性任務(wù)已經(jīng)結(jié)束,已經(jīng)預(yù)售手上的ASML持股,2015年可認(rèn)列210億元獲利。

  ASML表示,現(xiàn)階段半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)暫時(shí)不需要18寸晶圓世代,當(dāng)初三大半導(dǎo)體針對(duì)18寸晶圓的投資,會(huì)陸續(xù)轉(zhuǎn)去研發(fā)12寸晶圓(300mm)的EUV機(jī)臺(tái),將EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)做到盡善盡美,達(dá)到生產(chǎn)效率高且精準(zhǔn)的目標(biāo)。

  半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,18寸晶圓世代的來(lái)臨,當(dāng)初各方都不看好,因?yàn)檎麄€(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資金額太大,設(shè)備廠也不愿意投入研發(fā),即使投入后,也根本沒幾個(gè)客戶會(huì)買單,連英特爾、三星、臺(tái)積電這3家一定會(huì)蓋18寸晶圓廠的客戶到最后也是躊躇不前。

  目前ASML把所有資源放在EUV技術(shù)研發(fā)上,根據(jù)ASML表示,半導(dǎo)體的Lithography和微影疊對(duì)量測(cè)技術(shù)(Overlay Metrology)上,在28納米制程分別為6道和7道、20納米制程為8道和9道、10納米的Lithography步驟高達(dá)23道,而 Overlay Metrology步驟有36~40道。

  7納米的Lithography步驟更是達(dá)34道、Overlay Metrology步驟為59~65道,但若是用EUV生產(chǎn)7納米制程,Lithography和Overlay Metrology技術(shù)只需要分別9道和12道。

  原本ASML的EUV機(jī)臺(tái)因?yàn)槊啃r(shí)生產(chǎn)晶圓片數(shù)量未達(dá)目標(biāo),導(dǎo)致成本墊高,但日前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)舉行的SPIE先進(jìn)微影論壇中,臺(tái)積電對(duì)外宣布ASML的NXE:3300B型號(hào)EUV機(jī)臺(tái),已經(jīng)達(dá)到單日曝光超過(guò)1,000片晶圓的目標(biāo),再次刷新紀(jì)錄。

  臺(tái)積電目前已經(jīng)安裝2臺(tái)NXE:3300B的EUV系統(tǒng),另有2臺(tái)新一代EUV系統(tǒng)NXE:3350B將于2015年完成出貨,而原先已安裝的2臺(tái)NXE:3300B也將升級(jí)到NXE:3350B效能。

  這個(gè)突破讓臺(tái)積電對(duì)于EUV效能感到放心,目標(biāo)是在2016年底前達(dá)到單日曝光1,500片晶圓的目標(biāo),對(duì)于邏輯制程走到10納米和7納米、記憶體DRAM技術(shù)走到15納米制程深具信心。

  ASML目前在臺(tái)灣的半導(dǎo)體客戶包括臺(tái)積電、聯(lián)電、南亞科、華亞科、華邦、旺宏、瑞晶(現(xiàn)為臺(tái)灣美光)等,大陸客戶包括中芯國(guó)際等。

  由于有EUV機(jī)臺(tái)助陣,大客戶臺(tái)積電已經(jīng)表示生產(chǎn)效率大為突破,因此ASML有信心2020年?duì)I運(yùn)達(dá)到100億歐元,屆時(shí)EUV機(jī)臺(tái)會(huì)占營(yíng)收超過(guò)50%



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