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Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導通電阻和多種可選封裝

作者: 時間:2015-03-10 來源:電子產品世界 收藏

  全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商 今日推出 800V SuperFET® II 系列,該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性,同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/270772.htm

  800V SuperFET II 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和熱特性,使其成為各種應用的理想之選。同時,多種可選封裝為設計師帶來巨大的靈活性,在尺寸受限的設計中尤為如此。該系列的關鍵應用包括 LED 照明、LED 電視和家庭影院音響設備的電源、電源適配器、服務器、工業(yè)電源和輔助電源及微型太陽能逆變器。

  “借助 的全新 800V SuperFET II 系列,制造商可提高產品的效率和可靠性。由于優(yōu)越的開關性能和低導通電阻,此系列的效率明顯優(yōu)于最接近的競爭產品,” 的首席技術市場工程師 Wonhwa Lee 說。“新系列采用最新的超級結技術,實現(xiàn)小形狀因數(shù)及更勝以往的高效率,其耐用的內置二極管在高 dv/dt 條件下可提高工業(yè)橋式電路的可靠性。”

  Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范圍為 4.3 歐姆至業(yè)內最低 60 毫歐的26個器件(均以各種標準封裝提供)組成,為設計師在針對特定應用采用最佳器件中提供更多選擇和靈活性。例如,F(xiàn)CD850N80Z 是該系列的主要成員,將 DPAK 中異常低的850 毫歐 Rdson(最大值)與比主要競爭產品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相結合,使其成為需要低導通電阻和尺寸受限的 LED 照明應用的理想之選。

  Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括:

  要了解 Fairchild SuperFET II MOSFET 技術的更多信息,請訪問

  https://info.fairchildsemi.com/FY15M03-PR_CN-800V_SuperFET_II_MOSFET_Family.html



關鍵詞: Fairchild MOSFET

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