日本欲借節(jié)能半導(dǎo)體奪回主導(dǎo)權(quán)

　　日本東北大學(xué)國(guó)際集成電子研究開(kāi)發(fā)中心(CIES：Center for Innovative Integrated Electronic Systems)于2015年3月19～20日在東京召開(kāi)了第一屆成果報(bào)告會(huì)“1st CIES Technology Forum”。此次會(huì)議為期兩天，共有近500人參加。雖然是大學(xué)主辦的會(huì)議，但據(jù)介紹，來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的聽(tīng)眾比學(xué)術(shù)界的還要多。

　　CIES設(shè)立于2012年10月，座落在日本東北大學(xué)青葉山新校區(qū)內(nèi)，是研究自旋電子等電力電子技術(shù)的研發(fā)基地。2013年4月竣工的研究樓里配備了支持300mm晶圓的工藝生產(chǎn)線及測(cè)評(píng)分析設(shè)備。在新一代半導(dǎo)體技術(shù)方面擁有如此完善的開(kāi)發(fā)環(huán)境的大學(xué)研究基地在全球也是很少見(jiàn)的。

　　CIES聘請(qǐng)了很多在產(chǎn)業(yè)界擁有豐富經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人員來(lái)?yè)?dān)任研究人員和教師，所長(zhǎng)遠(yuǎn)藤哲郎就是原東芝的存儲(chǔ)器技術(shù)人員。該研發(fā)中心還積極與產(chǎn)業(yè)界合作，正在與東電電子等進(jìn)行聯(lián)合研究。通過(guò)這些努力，CIES最近實(shí)現(xiàn)了STT-MRAM(自旋注入磁化反轉(zhuǎn)型MRAM)用測(cè)量系統(tǒng)的產(chǎn)品化。該中心的聯(lián)合研究合作伙伴之一——知名半導(dǎo)體測(cè)量裝置企業(yè)是德科技日本公司已于2015年3月17日宣布，將于2016年初推出該系統(tǒng)。

　　將材料與元器件方面的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用于300mm晶圓

　　此次的會(huì)議是CIES的首場(chǎng)成果報(bào)告會(huì)。第一天的會(huì)議內(nèi)容具有濃厚的國(guó)際論壇色彩，英特爾及高通等公司紛紛登臺(tái)，以STT-MRAM為主題發(fā)表了演講。第二天則是對(duì)CIES的7個(gè)研究項(xiàng)目(Consortium Programme)進(jìn)行了進(jìn)度報(bào)告等。

　　在會(huì)議首日的主題演講上登臺(tái)的其中一位是作為日本半導(dǎo)體自旋電子領(lǐng)域“第一人”而為人所知的CIES研究成員、日本東北大學(xué)電氣通信研究所教授大野英男，他演講的題目是“Spintronics Devices for Integrated Circuits-An Overview-”。他圍繞自旋電子基本元件——磁性隧道結(jié)(MTJ)元件，介紹了旨在實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定性垂直磁化的材料和元器件技術(shù)。

　　大野教授是日本東北大學(xué)節(jié)能自旋電子學(xué)集成化中心(CSIS：Center for Spintronics Integrated Systems)的核心研究人員。他介紹說(shuō)，CSIS此前一直在進(jìn)行3英寸(75mm)晶圓方面的研究，“今后打算把我們已獲得的材料技術(shù)等經(jīng)驗(yàn)，應(yīng)用到支持300mm晶圓、而且與產(chǎn)業(yè)界親和性較高的CIES里”。