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東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星

作者: 時間:2015-03-27 來源:精實新聞 收藏

  三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品,但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢恐維持不了多久,因為三星NAND Flash最大競爭對手(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌!

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/271684.htm

  日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報導(dǎo),三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層,但已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層,且計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠開始量產(chǎn)上述48層架構(gòu)的3D NAND Flash產(chǎn)品。NAND flash多用于智能機、平板等行動裝置,電源關(guān)閉后,儲存內(nèi)容也不會消失。

  報導(dǎo)指出,東芝所將量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品存儲容量較現(xiàn)行產(chǎn)品呈現(xiàn)大幅度提高、且也將超越三星的產(chǎn)品。據(jù)報導(dǎo),三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品傳出不良率偏高、且獲利不佳,而東芝雖面臨同樣的問題,但因已確立了生產(chǎn)技術(shù)、故已決定進行樣品出貨。

  據(jù)報導(dǎo),東芝和三星皆計劃于數(shù)年內(nèi)研發(fā)出容量達1Tb(Tera bit;1Tb=1,000Gb)的3D NAND Flash產(chǎn)品,而一旦實現(xiàn),就可在智能手機儲存高達數(shù)十小時的4K影片。

  根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce公布的資料顯示,2014年第四季三星NAND Flash全球市占率為27.9%、穩(wěn)居首位,其次分別為東芝的21.9%、SanDisk的18.2%、美光的13.7%以及SK Hynix的11.4%。



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