閃存容量突破性進(jìn)展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。

　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開(kāi)發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。

　　當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限，給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來(lái)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。摩爾定律描繪了持續(xù)性能提升與成本降低的發(fā)展軌跡。而通過(guò)保持摩爾定律與閃存存儲(chǔ)解決方案的一致性，3D NAND技術(shù)將有望對(duì)閃存存儲(chǔ)解決方案產(chǎn)生重大影響，從而讓閃存存儲(chǔ)得到更廣泛的應(yīng)用。

　　“通過(guò)鎂光與英特爾的通力協(xié)作，雙方共同打造出了業(yè)界領(lǐng)先的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)。該技術(shù)提供了當(dāng)今其他閃存技術(shù)難以匹敵的更高密度、性能和效率，”鎂光科技內(nèi)存技術(shù)與解決方案部門(mén)副總裁 Brian Shirley 表示：“這一3D NAND技術(shù)擁有徹底改變市場(chǎng)格局的潛力。迄今為止，從智能手機(jī)到針對(duì)閃存優(yōu)化的超級(jí)計(jì)算機(jī)，我們所看到的閃存所產(chǎn)生的影響還僅僅是冰山一角。”英特爾公司高級(jí)副總裁兼非易失性存儲(chǔ)解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Rob Crooke 表示：“該項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新可顯著改善密度與成本問(wèn)題，并將顯著加快固態(tài)存儲(chǔ)在計(jì)算平臺(tái)中的應(yīng)用。”

　　創(chuàng)新工藝架構(gòu)

　　這項(xiàng)技術(shù)最重要的特點(diǎn)之一是其基礎(chǔ)存儲(chǔ)單元。英特爾和鎂光選擇使用的浮柵存儲(chǔ)單元是業(yè)界廣泛使用的一種設(shè)計(jì)。它基于多年來(lái)大批量制造的平面結(jié)構(gòu)閃存設(shè)計(jì)改進(jìn)而成，并首次在3D NAND技術(shù)中使用。而浮柵單元是提升性能、質(zhì)量和可靠性的一個(gè)關(guān)鍵設(shè)計(jì)選擇。

　　全新的3D NAND技術(shù)可垂直堆疊 32 層閃存單元，能夠在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn) 256Gb 多層單元 (MLC) 和 384Gb 三層單元 (TLC) 芯片。這些容量可使口香糖大小的固態(tài)盤(pán)提供超過(guò) 3.5 TB 的存儲(chǔ)容量，同時(shí)使標(biāo)準(zhǔn) 2.5 英寸固態(tài)盤(pán)能夠提供超過(guò) 10 TB 的存儲(chǔ)容量。由于存儲(chǔ)容量可通過(guò)垂直堆疊單元來(lái)實(shí)現(xiàn)，單個(gè)存儲(chǔ)單元的尺寸可以變得非常大。這將有望提高產(chǎn)品的性能和耐用性，甚至可以使 TLC 設(shè)計(jì)出色地滿足數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)的需求。

　　該3D NAND設(shè)計(jì)的主要產(chǎn)品特性包括：

　　大容量：存儲(chǔ)容量可達(dá)到現(xiàn)有3D技術(shù)的三倍，每塊芯片的存儲(chǔ)容量最高可達(dá)48GB。該3D技術(shù)可支持在單個(gè)指尖大小的封裝內(nèi)提供 0.75 TB 的存儲(chǔ)容量。

　　每GB閃存成本更低：第一代3D NAND具有比平面結(jié)構(gòu)的NAND更高的成本效益。

　　快速：更高的讀/寫(xiě)帶寬、I/O速度和隨機(jī)讀性能。

　　綠色：全新睡眠模式支持低功耗使用，允許切斷不活躍NAND的芯片的電源(即使同一封裝內(nèi)其他芯片處于活躍狀態(tài)也不受影響)，從而顯著降低待機(jī)模式下的功耗。

　　智能：相比前幾代產(chǎn)品，一系列創(chuàng)新特性顯著改進(jìn)了延遲問(wèn)題和提高了耐用性，同時(shí)進(jìn)一步簡(jiǎn)化了系統(tǒng)集成工作。

　　256Gb MLC版本的3D NAND芯片當(dāng)前已向部分合作伙伴提供樣品，384Gb TLC版本的3D NAND芯片將于今年春末開(kāi)始提供樣品。目前，晶圓廠生產(chǎn)線已開(kāi)始初步生產(chǎn)，這兩款設(shè)備將在今年第四季度全面投產(chǎn)。兩家公司還在開(kāi)發(fā)基于3D NAND技術(shù)的獨(dú)立固態(tài)盤(pán)解決方案系列，并預(yù)計(jì)于明年推出相關(guān)產(chǎn)品。