控制自身功耗預(yù)算并優(yōu)化軟件的MCU？說說MSP430 FRAM

　　MSP430FR59x/69x FRAM MCU產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++?實時功耗分析器和調(diào)試器。這些MSP430? MCU非常適用于智能計量儀表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠程傳感器、能量收集裝置、家庭自動化設(shè)備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應(yīng)用。

　　EnergyTrace++技術(shù)是全球第一個能使開發(fā)人員為每個外設(shè)實時分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調(diào)試系統(tǒng)。這使工程師能控制自己的功耗預(yù)算并優(yōu)化軟件，竭盡所能創(chuàng)造出能耗最低的產(chǎn)品。

　　超低功耗FRAM MCU產(chǎn)品組合的特性與優(yōu)勢

　　· 無限的可擦寫次數(shù)。無可匹敵的讀取/寫入速度意味著FRAM MCU比傳統(tǒng)非易失性存儲器解決方案的擦寫循環(huán)次數(shù)多100億次以上 — 擦寫周期超過了產(chǎn)品生命周期本身。

　　· 靈活性。FRAM具有獨特能力，使開發(fā)人員擺脫代碼和數(shù)據(jù)存儲器之間的傳統(tǒng)界限束縛。用戶無需再受限于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)閃存與RAM的比率或為增加的RAM需求支付額外費用。

　　· 易用性。FRAM可簡化代碼開發(fā)。由于FRAM無需預(yù)先擦除段，并可基于比特級被存取，使恒定的即時數(shù)據(jù)記錄成為可能。無線固件更新復(fù)雜程度降低，速度加快且能耗減少。

　　· FRAM是唯一的非易失性嵌入式存儲器，可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入 — 比閃存快100倍以上。

　　· 借助引腳對引腳兼容性和可擴展的產(chǎn)品組合(由TI超低功耗MSP430? MCU FRAM產(chǎn)品平臺內(nèi)32KB至128KB的器件組成)，使開發(fā)工作變得更輕松。

　　· 借助MSP430 FRAM和閃存組合之間的代碼和外設(shè)兼容性，利用MSP430Ware?來簡化遷移。

　　· 可取代EEPROM，旨在設(shè)計出寫入速度更快、功耗更低且內(nèi)存可靠性更高的安全產(chǎn)品。

　　· 256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能確保數(shù)據(jù)傳輸。

　　· 適合開發(fā)人員使用的豐富資源包括詳細的遷移指南和應(yīng)用手冊，以簡化從現(xiàn)有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的遷移。