控制自身功耗預(yù)算并優(yōu)化軟件的MCU？說(shuō)說(shuō)MSP430 FRAM

　　MSP430FR59x/69x FRAM MCU產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++?實(shí)時(shí)功耗分析器和調(diào)試器。這些MSP430? MCU非常適用于智能計(jì)量?jī)x表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠(yuǎn)程傳感器、能量收集裝置、家庭自動(dòng)化設(shè)備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應(yīng)用。

　　EnergyTrace++技術(shù)是全球第一個(gè)能使開(kāi)發(fā)人員為每個(gè)外設(shè)實(shí)時(shí)分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調(diào)試系統(tǒng)。這使工程師能控制自己的功耗預(yù)算并優(yōu)化軟件，竭盡所能創(chuàng)造出能耗最低的產(chǎn)品。

　　超低功耗FRAM MCU產(chǎn)品組合的特性與優(yōu)勢(shì)

　　· 無(wú)限的可擦寫次數(shù)。無(wú)可匹敵的讀取/寫入速度意味著FRAM MCU比傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器解決方案的擦寫循環(huán)次數(shù)多100億次以上 — 擦寫周期超過(guò)了產(chǎn)品生命周期本身。

　　· 靈活性。FRAM具有獨(dú)特能力，使開(kāi)發(fā)人員擺脫代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器之間的傳統(tǒng)界限束縛。用戶無(wú)需再受限于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)閃存與RAM的比率或?yàn)樵黾拥腞AM需求支付額外費(fèi)用。

　　· 易用性。FRAM可簡(jiǎn)化代碼開(kāi)發(fā)。由于FRAM無(wú)需預(yù)先擦除段，并可基于比特級(jí)被存取，使恒定的即時(shí)數(shù)據(jù)記錄成為可能。無(wú)線固件更新復(fù)雜程度降低，速度加快且能耗減少。

　　· FRAM是唯一的非易失性嵌入式存儲(chǔ)器，可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入 — 比閃存快100倍以上。

　　· 借助引腳對(duì)引腳兼容性和可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合(由TI超低功耗MSP430? MCU FRAM產(chǎn)品平臺(tái)內(nèi)32KB至128KB的器件組成)，使開(kāi)發(fā)工作變得更輕松。

　　· 借助MSP430 FRAM和閃存組合之間的代碼和外設(shè)兼容性，利用MSP430Ware?來(lái)簡(jiǎn)化遷移。

　　· 可取代EEPROM，旨在設(shè)計(jì)出寫入速度更快、功耗更低且內(nèi)存可靠性更高的安全產(chǎn)品。

　　· 256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能確保數(shù)據(jù)傳輸。

　　· 適合開(kāi)發(fā)人員使用的豐富資源包括詳細(xì)的遷移指南和應(yīng)用手冊(cè)，以簡(jiǎn)化從現(xiàn)有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的遷移。