2015年三星半導(dǎo)體資本支出規(guī)劃

　　DIGITIMES Research觀察2015年兩大韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者資本支出規(guī)劃，三星電子(Samsung Electronics)將創(chuàng)新高紀(jì)錄，達(dá)150億美元水平，SK海力士(SK Hynix)則將與2014年持平，維持在51億美元。2015年三星半導(dǎo)體事業(yè)資本支出將連續(xù)6年居全球之冠，其中，含晶圓代工在內(nèi)的系統(tǒng)IC資本支出 將自2014年29億美元增加至近40億美元，除啟用韓國(guó)華城廠第17產(chǎn)線外，2015年將持續(xù)在美國(guó)奧斯丁等廠房建構(gòu)14納米先進(jìn)制程產(chǎn)能，以和臺(tái)積電 及英特爾(Intel)展開16/14納米以下先進(jìn)微縮制程競(jìng)賽。

　　2015年三星與SK海力士于DRAM皆有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，其DRAM資本支出分別將 為64億美元與38億美元，三星主要用于擴(kuò)充韓國(guó)華城廠第17產(chǎn)線DRAM產(chǎn)能，SK海力士則將重點(diǎn)放在2015年下半啟用韓國(guó)京畿道利川市M14新產(chǎn) 線，將量產(chǎn)20納米級(jí)DRAM。2015年兩家韓廠合計(jì)資本支出占全球DRAM廠總資本支出比重達(dá)75%。

　　在NAND Flash資本支出方面，2015年三星規(guī)劃47億美元，主要用于建構(gòu)大陸地區(qū)西安廠3D NAND Flash產(chǎn)能，其于3D NAND Flash進(jìn)展較美光(Micron)、東芝(Toshiba)等業(yè)者快。SK海力士NAND Flash資本支出為13億美元，主要用于10納米級(jí)TLC(Triple Level Cell) NAND Flash研發(fā)與產(chǎn)能布建，2015年兩家韓廠合計(jì)資本支出占全球NAND Flash廠總資本支出比重為64%。

　　三星目前在韓國(guó)，以京 畿道器興廠與華城廠為其主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，2015年三星將在京畿道平澤市興建半導(dǎo)體園區(qū)，其規(guī)劃投資金額將達(dá)到15.6兆韓元(約153億美元)，三星計(jì)劃 2017年下半啟用平澤半導(dǎo)體園區(qū)，將涵蓋存儲(chǔ)器與系統(tǒng)IC產(chǎn)線，由于SK海力士也將啟用利川廠M14產(chǎn)線，將使得京畿道于三星與SK海力士的半導(dǎo)體生產(chǎn) 上扮演更重要的地位。