新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術 > 新品快遞 > 全新Calibre xACT 產(chǎn)品可滿足先進工藝廣泛的寄生電路參數(shù)提取需求

全新Calibre xACT 產(chǎn)品可滿足先進工藝廣泛的寄生電路參數(shù)提取需求

作者: 時間:2015-04-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

   公司今天宣布推出全新 ® xACT™ 寄生電路參數(shù)提取平臺,該平臺可滿足包括 14nm FinFET 在內(nèi)廣泛的模擬和數(shù)字電路參數(shù)提取需求,同時最大限度地減少 IC 設計工程師的猜測和設置功夫。 xACT 平臺可借由自動優(yōu)化電路參數(shù)提取技術,針對客戶特定的工藝節(jié)點、產(chǎn)品應用、設計尺寸大小及電路參數(shù)提取目標,實現(xiàn)精準度和周轉(zhuǎn)時間 (TAT) 的最佳組合。 采用 xACT 平臺進行電路寄生參數(shù)提取在滿足最嚴格的精準度要求的同時,還讓客戶體驗到了減少高達 10 倍的周轉(zhuǎn)時間。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/273136.htm

  Samsung 在用于 14nm 技術的 Calibre xACT 平臺的開發(fā)和認證方面與 Mentor

  Graphics 有著廣泛的合作,并憑借該平臺的高精準度性能將其應用于技術開發(fā)。

  Calibre xACT 產(chǎn)品能夠?qū)蝹€規(guī)則檔案應用于一系列電路參數(shù)提取應用,使客戶能夠兼顧精準度和快速 TAT(Turn Around Time),且無需手動修改其規(guī)則檔案或工具配置。

  “我們在對領先的電路參數(shù)提取產(chǎn)品進行了仔細的基準檢驗后,選擇了將Calibre xACT作為簽核電路參數(shù)抽取工具標準并應用到我們所有的新一代設計中,”Cypress Semiconductor 公司 CAD 總監(jiān) Dragomir Nikolic 說道。 “包括在90 nm和65 nm制程節(jié)點上的產(chǎn)品。 我們發(fā)現(xiàn),在眾多目標在最尖端工藝節(jié)點電路參數(shù)提取產(chǎn)品中,Calibre xACT 可提供高精準度和快速周轉(zhuǎn)時間的最佳組合。 此外,我們也看到 Calibre xACT電路參數(shù)提取工具有能力在各種各樣的應用(從晶體管級別到全芯片數(shù)字電路參數(shù)提取)中產(chǎn)生最佳結果,這種能力是非常有價值的。”

  在整個設計周期內(nèi),電路設計工程師必須在性能和精準度之間權衡取舍。寄生電路參數(shù)提取也不例外。 在使用較為復雜的 FinFET 組件的先進工藝節(jié)點上,設計工程師始終致力于追求更為嚴苛的精準度,也需要更高的性能和容量來實現(xiàn)十億級晶體管設計。事實上,在現(xiàn)代 IC 中,所有制程節(jié)點都隨著內(nèi)存、模擬電路、標準單元庫以及客制化數(shù)字內(nèi)容的混合變得日益復雜。這種復雜性為電路參數(shù)提取工具帶來了一系列不同的挑戰(zhàn)。 為了應對這些挑戰(zhàn),Calibre xACT 平臺將精簡模型、解電磁場技術(Field Solver)以及高效的多 CPU 擴展 (scaling)技術融為一體,以確保實現(xiàn)有可靠精準度并滿足計劃所要求的期限。

  Calibre xACT 電路參數(shù)提取平臺與整個 Calibre 產(chǎn)品線整合,實現(xiàn)了無縫驗證流程,其中包括用于完整晶體管級模型的 Calibre nmLVS™ 產(chǎn)品,以及用于針對極高精準度電路參數(shù)提取應用的 Calibre xACT 3D 產(chǎn)品。此外,它還納入了第三方設計環(huán)境和格式,以確保與現(xiàn)有的設計和仿真流程相兼容。



關鍵詞: Mentor Graphics Calibre

評論


作為英特爾下一代Tiger Lake-U平臺的一部分,Xe架構新核顯絕對是重大賣點。英特爾曾在上個月演示通過Tiger Lake核顯運行戰(zhàn)地5,在1080P分辨率和圖形預設為高的情況下游戲大體能保持以30FPS的速度運行。

技術專區(qū)

關閉