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12位高速ADC存儲電路設(shè)計與實現(xiàn)

作者: 時間:2015-05-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  1 AD9225的結(jié)構(gòu)

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/274417.htm

  AD9225是ADI公司生產(chǎn)的單片、單電源供電、12位精度、25Msps高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器,片內(nèi)集成高性能的采樣保持放大器和參考電壓源。AD9225采用帶有誤差校正邏輯的四級差分流水結(jié)構(gòu),以保證在25Msps采樣率下獲得精確的12位數(shù)據(jù)。除了最后一級,每一級都有一個低分辨率的閃速A/D與一個殘差放大器(MDAC)相連。此放大器用來放大重建DAC的輸出和下一級閃速A/D的輸入差,每一級的最后一位作為冗余位,以校驗數(shù)字誤差,其結(jié)構(gòu)如圖1所示。

  

AD9225結(jié)構(gòu)圖

 

  圖1 AD9225結(jié)構(gòu)圖

  2 AD9225的輸入和輸出

  (1) 時鐘輸入

  AD9225采用單一的時鐘信號來控制內(nèi)部所有的轉(zhuǎn)換,A/D采樣是在時鐘的上升沿完成。在25Msps的轉(zhuǎn)換速率下,采樣時鐘的占空比應(yīng)保持在45%~55%之間;隨著轉(zhuǎn)換速率的降低,占空比也可以隨之降低。在低電平期間,輸入SHA處于采樣狀態(tài);高電平期間,輸入SHA處于保持狀態(tài)。圖2為其時序圖。圖2中:

  

AD9225時序圖

 

  圖2 AD9225時序圖

  tch——高電平持續(xù)時間,最小值為18 ns;

  tcl——低電平持續(xù)時間,最小值為18 ns;

  tod——數(shù)據(jù)延遲時間,最小值為13 ns。

  從時序圖可以看出:轉(zhuǎn)換器每個時鐘周期(上升沿)捕獲一個采樣值,三個周期以后才可以輸出轉(zhuǎn)換結(jié)果。這是由于AD9225采用的四級流水結(jié)構(gòu),雖然可以獲得較高的分辨率,但卻是以犧牲流水延遲為代價的。

  (2) 模擬輸入AD9225的模擬輸入引腳是VINA、VINB,其絕對輸入電壓范圍由電源電壓決定:

  

公式

 

  其中, AVSS正常情況下為0 V,AVDD正常情況下為+5 V。

  AD9225有高度靈活的輸入結(jié)構(gòu),可以方便地和單端或差分輸入信號進(jìn)行連接。采用單端輸入時,VINA可通過直流或交流方式與輸入信號耦合,VINB要偏置到合適的電壓;采用差分輸入時,VINA和VINB要由輸入信號同時驅(qū)動。

  (3) 數(shù)字輸出

  AD9225 采用直接二進(jìn)制碼輸出12位的轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù),并有一位溢出指示位(OTR),連同最高有效位可以用來確定數(shù)據(jù)是否溢出。圖3為溢出和正常狀態(tài)的邏輯判斷圖。

  

溢出和正常狀態(tài)的邏輯判斷圖

 

  圖3 溢出和正常狀態(tài)的邏輯判斷圖

  3 AD9225參考電壓和量程的選用

  參考電壓VREF決定了AD9225的量程,即

  滿刻度量程= 2×VREF

  VREF的值由SENSE引腳確定。如果SENSE與AVSS 相連,VREF是2.0 V,量程是0~4 V;如果SENSE與VREF直接相連, VREF是1.0 V,量程是0~2 V;如果SENSE與VREF通過電阻網(wǎng)絡(luò)相連,則VREF可以是1.0~2.0 V之間的任意值,量程是0~2VREF;如果SENSE與AVDD 相連,表示禁用內(nèi)部參考源,即VREF由外部參考電壓源驅(qū)動。內(nèi)部電路用到的參考電壓是出現(xiàn)在CAPT和CAPB端。表1是參考電壓和輸入量程的總結(jié)。

  表1 參考電壓和輸入量程

  

溢出和正常狀態(tài)的邏輯判斷圖

 

  4 AD9225的存儲方案設(shè)計

  在高速數(shù)據(jù)采集電路的實現(xiàn)中,有兩個關(guān)鍵的問題:一是模擬信號的高速轉(zhuǎn)換;二是變換后數(shù)據(jù)的存儲及提取。AD9225的采樣速度可達(dá)25Msps,完全可以滿足大多數(shù)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的要求,故首要解決的關(guān)鍵問題是與存儲器的配合問題。 在數(shù)據(jù)采集電路中, 有以下幾種存儲方案可供選擇。

  (1)分時存儲方案

  分時存儲方案的原理是將高速采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分時處理, 通過高速鎖存器按時序地分配給N個存儲器。雖然電路中增加了SRAM的片數(shù),但使存儲深度增加,用低價格的SRAM構(gòu)成高速數(shù)據(jù)存儲電路,獲得較高的(單位速度×單位存儲深度)/價格比。但由于電路單數(shù)據(jù)口的特點,不利于數(shù)據(jù)的實時處理,并且為使數(shù)據(jù)被鎖存后留有足夠的時間讓存儲器完成數(shù)據(jù)的存儲,需要產(chǎn)生特殊的寫信號線 。

  (2)雙端口存儲方案

  雙端口存儲器的特點是,在同一個芯片里,同一個存儲單元具有相同的兩套尋址機構(gòu)和輸入輸出機構(gòu),可以通過兩個端口對芯片中的任何一個地址作非同步的讀和寫操作,讀寫時間最快達(dá)到十幾ns。當(dāng)兩個端口同時(5 ns以內(nèi) )對芯片中同一個存儲單元尋址時, 芯片中有一個協(xié)調(diào)電路將參與協(xié)調(diào)。雙端口存儲器方案適用于小存儲深度、數(shù)據(jù)實時處理的場合。由于雙端口存儲器本身具備了兩套尋址系統(tǒng),在電路的設(shè)計時,可以免去在數(shù)據(jù)存儲和讀取時對地址時鐘信號的切換問題的考慮,使數(shù)據(jù)變得簡單和快捷。

  (3)先進(jìn)先出存儲方案

  先進(jìn)先出存儲器的同一個存儲單元配備有兩個口:一個是輸入口,只負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的寫入;另一個是輸出口,只負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的輸出。先進(jìn)先出()存儲器方案適用于小存儲深度,數(shù)據(jù)需實時處理的場合。

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