Flash廠力推　3D NAND明年全面滲透消費(fèi)性SSD

　　在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下，消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產(chǎn)品預(yù)計(jì)將自今年下半年開始加速采用更高性價(jià)比的3D NAND方案，并可望在2016年完全進(jìn)入3D世代;而企業(yè)與資料中心應(yīng)用由于對SSD可靠度要求等級較高，預(yù)估將自2016下半年后才會轉(zhuǎn)換至3D NAND規(guī)格。