NRAM已準備好進軍市場？

　　美國記憶體技術開發(fā)商Nantero最近宣布進行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。

　　Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳奈米管為基礎，也就是碳原子組成的圓柱體。那些直徑僅1~2奈米的奈米管比鋼更強韌，而且導電特性比其他已知的晶片制造材料更好。

　　其實Nantero早在2001年就已經(jīng)成立，但是目前仍然像是一家新創(chuàng)公司，它曾經(jīng)名列EE Times的2013年版“前十大值得關注新創(chuàng)公司”排行榜;Schmergel透露，與系統(tǒng)與元件制造商的合作進展，將讓Nantero漸漸脫離潛水模式。他指出，NRAM已經(jīng)準備好商業(yè)化以及量產(chǎn)，Nantero已經(jīng)開始提供4Mb的高良率NRAM晶片樣品，而目前已經(jīng)有7座量產(chǎn)CMOS晶圓廠安裝了NRAM制程。

　　Schmergel強調，NRAM技術能提供許多優(yōu)勢，包括讀寫次數(shù)與DRAM相同，而速度則比手機與固態(tài)硬碟(SSD)使用的NAND快閃記憶體高一百倍：“其耐久性基本上是無限制的，因為碳奈米管永遠不會耗損。”測試結果顯示，NRAM在極端溫度下仍能維持穩(wěn)定運作，該種記憶體甚至接受了航太業(yè)者洛柯希德˙馬丁(Lockheed Martin)與美國太空總署(NASA)在太空梭亞特蘭提斯號(Atlantis)上的輻射線轟炸測試。

　　回到地球上;Schmergel表示，NRAM的商業(yè)化優(yōu)勢還包括比DRAM或快閃記憶體功耗更低，此外碳奈米管的小尺寸，意味著能以更小體積元件儲存更多資料，使其適合筆記型電腦、手機、甚至可穿戴式裝置與物聯(lián)網(wǎng)設備等終端系統(tǒng)：“還有很多我們無法預期的應用。”

　　而Schmergel指出，NRAM在成本上也有顯著優(yōu)勢，因為碳奈米管體積小，元件尺寸能輕易微縮，意味著NRAM不會面臨與其他種類記憶體相同的制造挑戰(zhàn);現(xiàn)有的CMOS晶圓廠也不需要額外的設備就能生產(chǎn)NRAM，因為該技術多年來的開發(fā)成果，已經(jīng)使其能完全相容于現(xiàn)有半導體設備：“你能使用任何一種你想用的微影技術，這非常具成本效益。”

　　Nantero獨家開發(fā)的NRAM記憶體是以碳奈米管為基礎

　　不過Schmergel也表示，Nantero不會自己生產(chǎn)NRAM，而是會將技術授權給元件或裝置制造商;他透露低第一款NRAM產(chǎn)品，會是與DRAM記憶體插槽相容的模組，而裝置業(yè)者能將該碳奈米管儲存方案，布署在NAND快閃記憶體電路的頂層。

　　對于Nantero，市場研究機構WebFeet Research執(zhí)行長Alan Niebel表示，該公司埋首于NRAM技術開發(fā)超過十年，現(xiàn)在終于是展現(xiàn)成果的時候;而該技術最嚴峻的考驗，是能在多快的時間內(nèi)整合進晶片。存取次數(shù)、功耗、耐久性、可擴展性以及制程簡易度等條件的表現(xiàn)，則將決定NRAM是否可行或能否被大量采用;但他預期嵌入式NRAM在2016年以前不會出現(xiàn)在市場上，而還要再過一年時間才能見到獨立式的NRAM元件問世。

　　Niebel認為，碳奈米管的耐久性確實頗具吸引力，而若Nantero真能降低該技術成本、實現(xiàn)其通用性，NRAM將會是非常值得關注的技術。不過他也指出，NRAM的制造成本可能會比DRAM便宜，可能還是會高于NAND快閃記憶體;此新記憶體技術還需要大量的實作、測試與制程最佳化。

　　Nantero可能會在某些應用領域看到NRAM能取代DRAM的機會，但是DRAM恐怕不是那么容易在短時間之內(nèi)被大量替代的;根據(jù)韓國業(yè)界消息，三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)等廠商，都計劃在DRAM產(chǎn)能上投資更多，以因應來自手機等行動裝置對該記憶體技術的穩(wěn)定需求。

　　在記憶體領域，總是會有新興技術想取代DRAM或NAND快閃記憶體，不過只是某些特定應用領域，例如電阻式記憶體(resistive RAM，RRAM)、磁阻式記憶體(MRAM)，以及還需要進一步最佳化的相變化記憶體(phase-change memory，PCM)技術。