聯(lián)華電子TSV技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，驅(qū)動(dòng)AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能

　　聯(lián)華電子今(20)日宣布，用于AMD旗艦級(jí)繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù)，已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採(cǎi)用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù)，在硅中介層上融合

　　連結(jié) AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強(qiáng)記憶體頻寬，及遠(yuǎn)超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)達(dá)4倍的每瓦性能表現(xiàn)。

　　聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷副總暨TSV技術(shù)委員會(huì)共同主席簡(jiǎn)山杰表示：「AMD 致力于將頂尖GPU產(chǎn)品帶入市場(chǎng)，具有豐富的成功經(jīng)驗(yàn)。這次量產(chǎn)里程碑彰顯了我們與AMD在TSV技術(shù)上緊密合作下的成果，我們很榮幸能運(yùn)用此技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，協(xié)助AMD強(qiáng)化其新一代GPU產(chǎn)品。展望未來(lái)，聯(lián)華電子期盼與 AMD繼續(xù)攜手，延續(xù)這份成果豐碩的伙伴關(guān)系。」

　　AMD資深院士(senior fellow)　Bryan Black 表示：「從開(kāi)始研發(fā)以至量產(chǎn)階段，聯(lián)華電子皆採(cǎi)用創(chuàng)新技術(shù)打造客戶產(chǎn)品，這是AMD選擇聯(lián)華電子合作硅中介層及相關(guān) TSV 技術(shù)的關(guān)鍵因素。聯(lián)華電子此次順利將 TSV技術(shù)運(yùn)用在AMD最新的高效能GPU上，再次證明了其堅(jiān)實(shí)的專業(yè)能力。本公司很榮幸能擁有聯(lián)華電子作為我們的供應(yīng)鏈伙伴，協(xié)助我們推出全新Radeon 系列產(chǎn)品?！?/p>

　　AMD提供的GPU與HBM堆疊晶粒，皆置放于聯(lián)華電子TSV製程的中介層上，透過(guò)CMOS線路重佈層(redistribution layer)與先進(jìn)的微凸塊(micro-bumping)技術(shù)，這些晶片之間可于中介層彼此連通，因此得以實(shí)現(xiàn)AMD Radeon™ R9 Fury X絕佳的效能與位面積。AMD的TSV硅中介層技術(shù)系于聯(lián)華電子位于新加坡的12吋特殊技術(shù)晶圓廠Fab 12i製造生產(chǎn)。