驍龍820參數(shù)曝光 聯(lián)發(fā)科海思能否應對還看臺積電
對于驍龍810的發(fā)熱問題,業(yè)內(nèi)早已唏噓不已,高通下一代產(chǎn)品驍龍820便承載了眾多品牌手機廠商的更多期待。臺灣媒體雖表示受到高通將于當?shù)貢r間8月11日(下周二)在美國洛杉磯發(fā)布驍龍820的邀請。今日,業(yè)內(nèi)知名分析師潘九堂在微博曝光驍龍820的路線圖和完整參數(shù),糾正了這一傳聞。圖中顯示2015年內(nèi)驍龍820將實現(xiàn)量產(chǎn),終端的上市時間也將會在明年初。
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根據(jù)圖中參數(shù)顯示,高通驍龍820(MSM8996)采用三星14nm工藝,采用全新基帶,支持LTE Cat.10標準,下載峰值速度可達450Mbps,自有四核Kyro架構,支持雙通道LPDDR4 1886MHz內(nèi)存,GPU搭配Adreno 530,性能提高40%,功耗降低30%,最高支持2800萬像素攝像頭。
據(jù)潘九堂透露,小米5、樂視、一加、nubia、神奇ZUK等互聯(lián)網(wǎng)品牌都有希望搭載高通驍龍820,此前三星Galaxy S7 也傳出將放棄自家處理器回歸高通懷抱。
反觀聯(lián)發(fā)科,在曦力Helio X20的“十核”“Tri-Cluster”架構給了業(yè)內(nèi)一擊后,下一代處理器Helio X30更進一階,保持十核,遞進“四叢集”架構進一步優(yōu)化性能與功耗比。相比高通的自有架構,聯(lián)發(fā)科另辟蹊徑。
此前知情人士曝光,Helio X30采用臺積電16nm FinFET工藝制造,集成兩顆 1 GHz的Cortex-A53核心、兩顆 1.5 GHz的Cortex-A53核心、兩顆 2 GHz的Cortex-A72 核心以及四顆 2.5 GHz的Cortex-A72核心,內(nèi)存支持雙通道LPDDR4 1600MHz,存儲部分支持eMMC 5.1規(guī)范。GPU方面,繼續(xù)搭載Mali-880四核芯片或ARM預期揭曉的全新GPU,相機像素最高可支持到4000萬,預計明年初推出。
在Helio X20溝通會時,聯(lián)發(fā)科產(chǎn)品規(guī)劃總監(jiān)李彥輯曾表示,Tri-Cluster架構比以往雙叢集架構處理器降低高達30%的功耗。如果Helio X30處理器的架構再增加一個叢集,以聯(lián)發(fā)科的優(yōu)勢又將降低多少功耗,值得期待。目前Helio X20已支持到LTE Cat.6標準,相信短期內(nèi)Helio X30也不會有更多提高,仍將維持在LTE Cat.6。
簡單從參數(shù)上對比可見,聯(lián)發(fā)科正逐漸縮小與高通處理器的差距。近日,關于驍龍820發(fā)熱的新聞也有傳出,聯(lián)發(fā)科Helio X20還未量產(chǎn),全新架構孰勝孰敗仍需時間考驗。高通因臺積電16nm進展太慢轉(zhuǎn)單三星,臺積電還需為蘋果保證產(chǎn)能分配,聯(lián)發(fā)科和華為海思下一代處理器的上市時間還將受其影響。
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