聯(lián)發(fā)科10核Helio X30明年初問世

　　相關消息指出，聯(lián)發(fā)科在旗艦款處理器Helio X20之后，將計劃持續(xù)推出改良款Helio X22，并且將于后續(xù)推出新款Helio X30，預期以臺積電16nm制程FinFET技術制作。但若從聯(lián)發(fā)科稍早透露說法，今年推出的旗艦款處理器將以Helio X20為主，預期新款處理器將維持在2016年間問世。

　　微博相關消息指出，聯(lián)發(fā)科目前著手計劃打造新款旗艦款處理器，其中包含以Helio X20為基礎改良的Helio X22，以及新款Helio X30，前者預期維持臺積電20nm制程技術，而后者則將以16nm制程FinFET技術制作。不過，從聯(lián)發(fā)科先前受訪時表示今年旗艦款處理器將維持以 Helio X20為主，加上臺積電16nm制程技術預計在今年第三季才投入量產(chǎn)，此次傳出兩款新處理器應該會選擇在明年初公布。

　　在相關消息透露細節(jié)里，顯示Helio X30將采用特殊四段檔位設計，相比三段檔位設計的Helio X20預期提供更細膩的處理器效能控制，藉此發(fā)揮精準的電池損耗表現(xiàn)，至于處理器設計則分別以ARM Cortex-A72 2.5GHz四核心架構(gòu)，搭配ARM Cortex-A72 2.0GHz雙核心架構(gòu)，另外再加上ARM Cortex-A53 1.5GHz雙核心架構(gòu)與ARM Cortex-A53 1.0GHz雙核心架構(gòu)，形成“4+2+2+2”的10核心架構(gòu)設計。

　　不過，相關消息并未透露Helio X30預期搭配GPU規(guī)格，但預期仍將以ARM旗下Mali高階GPU為主，還無法確認是否沿用Mali-T800系列GPU，亦有可能采用ARM接下來預期揭曉的全新GPU。至于其余部分則分別對應4GB LPDDR4 1600MHz雙通道記憶體規(guī)格，以及eMMC 5.1儲存元件規(guī)范，另外最高可驅(qū)動相機元件高達4000萬畫素。

　　而改良款Helio X22似乎主要將運作時脈提升，制程依然維持在20nm設計。