美光2016 資本支出大增至53億美元，市場(chǎng)冷淡

　　內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì)議(Analyst Conference)，會(huì)中宣布 2016 會(huì)計(jì)年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場(chǎng)似乎對(duì)內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。

　　美光財(cái)務(wù)長(zhǎng) Ernie Maddock 在會(huì)中公布 2016 會(huì)計(jì)年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會(huì)計(jì)年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至 2014 年會(huì)計(jì)年度，更只有 18 億美元。

　　何以有這么大的資本支出增加幅度，Maddock 解釋，這筆錢包含異常大量的合作第三方出資，如Intel，大約在 7 億美元到 9 億美元之間;另有 6 億美元到 8 億美元的 10X 代廠投資。

　　而美光自己增加的資本支出大約只在 5億美元至 100 萬(wàn)美元之間，所以整體資本支出的范圍大約在 50 億美元。不過(guò)呢，Maddock 進(jìn)一步對(duì)分析師說(shuō)明，若把美光投資在設(shè)備、研發(fā)等方面的支出，用 1、20 年長(zhǎng)遠(yuǎn)的時(shí)間來(lái)看，就能得出一個(gè)常態(tài)性的資本支出范圍，而這數(shù)字大約落在 40 億美元。

　　美光與Intel 才在 7 月底發(fā)布新型非揮發(fā)性內(nèi)存芯片 3D Xpoint，可望同時(shí)取代 DRAM 與 NAND 在運(yùn)算端的需求，速度是NAND Flash 的 1000 倍。

　　投資增加，但內(nèi)存市場(chǎng)前景不明

　　在美光的分析師會(huì)議后，MKM Partners 分析師Ian Ing 將美光的投資評(píng)等從“中立”改為“近期需謹(jǐn)慎”，并把目標(biāo)價(jià)從 27 美元下調(diào)至 22 美元，主要原因是內(nèi)存市場(chǎng)現(xiàn)在進(jìn)入低循環(huán)期、近期面臨的挑戰(zhàn)，以及 PC 市場(chǎng)的疲軟。

　　里昂證券(CLSA)分析師 Mark Heller 認(rèn)為，美光在 2015 下半年并沒(méi)有任何能正面刺激股價(jià)的因素，但他認(rèn)為美光明年的技術(shù)路線圖愈來(lái)愈好。他也點(diǎn)出，美光提高資本支出，半導(dǎo)體蝕刻機(jī)臺(tái)制造商科林研發(fā)公司(Lam Research)和半導(dǎo)體設(shè)備和服務(wù)供應(yīng)商應(yīng)用材料(Applied Materials)將會(huì)受益。