英特爾、三星服務(wù)器DRAM市場再掀激戰(zhàn)

　　全球半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)推出3D XPoint技術(shù)，睽違31年再度揮軍DRAM市場。英特爾并非著手制造DRAM，而是以結(jié)合DRAM和NAND Flash的次世代記憶體，攻略服務(wù)器用DRAM市場。

　　而三星電子(Samsung Electronics)自DDR4之后，加速研發(fā)新DRAM，特別關(guān)注英特爾的舉動。全球半導(dǎo)體市場前兩名企業(yè)的技術(shù)競爭，吸引業(yè)界目光。

　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，英特爾在開發(fā)者大會IDF 2015公開了部分采3D XPoint的產(chǎn)品策略，然并未發(fā)表詳細(xì)的產(chǎn)品規(guī)格或上市日程。英特爾預(yù)告除固態(tài)硬碟(SSD)外，也將推出服務(wù)器用雙列直插式記憶體模組(DIMM)，對NAND Flash和DRAM市場都將帶來影響。

　　3D XPoint為全新非揮發(fā)性記憶體，英特爾稱其為1989年推出NAND Flash以來的第一個新記憶體類別。3D XPoint結(jié)構(gòu)與3D NAND技術(shù)近似，但不像NAND Flash將資訊儲存在元件，而是儲存在架構(gòu)中字組線和位元線的交叉點(diǎn)上，系統(tǒng)得以單獨(dú)存取每個儲存單元。

　　英特爾資料中心事業(yè)群總經(jīng)理Diane Bryant強(qiáng)調(diào)，采3D XPoint的服務(wù)器DIMM將成為首度在主要記憶體上采用非揮發(fā)性記憶體的案例。這將帶動服務(wù)器用記憶體的變化。

　　SSD將取代部分服務(wù)器DRAM，英特爾和DRAM制造廠三星、SK海力士(SK Hynix)等將掀地盤保衛(wèi)戰(zhàn)。雖然無法取代整體服務(wù)器DRAM，但英特爾計(jì)劃改變現(xiàn)有服務(wù)器設(shè)計(jì)，并將可替代的領(lǐng)域拓展到最大。

　　英特爾發(fā)表了與美光(Micron)共同研發(fā)的次世代記憶體技術(shù)3D XPoint后，在IDF 2015中公開表示正在研發(fā)采用該技術(shù)的服務(wù)器用DIMM和SSD。英特爾采用3D XPoint技術(shù)的新SSD品牌為Optane，較傳統(tǒng)NAND Flash的資訊接收速度快1,000倍，耐久性也提升1,000倍。

　　英特爾示范比較了SSD DC P3700系列和Optane SSD概念產(chǎn)品的性能，當(dāng)DC P3700系列的IOPS(Input/Output Operations Per Second)為3.49萬時，Optane概念產(chǎn)品的IOPS為46.18萬，說明Optane的資訊處理量多了5~7倍。

　　英特爾也計(jì)劃推出基于3D XPoint的服務(wù)器DIMM模組，主要用在講究資訊處理功能的資訊中心服務(wù)器或工作站。英特爾發(fā)表正在研發(fā)服務(wù)器用DIMM的消息后，意味著也將為DRAM市場帶來變化。三星和SK海力士都相當(dāng)關(guān)注英特爾后續(xù)的動作。

　　在DRAM市場上分居第一、二名的三星和SK海力士，繼DDR4之后，加速研發(fā)次世代DRAM。

　　將最先登場的記憶體將會是圖形芯片和高性能電腦(HPC)用DRAM，高頻寬記憶體(HBM)。該產(chǎn)品采直通矽穿孔技術(shù)(TSV)，三星和SK海力士都有少量生產(chǎn)，自2016年初將正式投入量產(chǎn)。

　　三星記憶體事業(yè)部首席工程師尹河龍(音譯)表示，2016年初正式量產(chǎn)HBM，2017年朝網(wǎng)路領(lǐng)域拓展市場等，將發(fā)掘新市場。