存儲器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應？

　　經(jīng)過幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個線性系統(tǒng)，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現(xiàn)松動，越來越多新技術開始浮上臺面。這些技術不僅僅是既有技術的改進，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術轉型成為非線性系統(tǒng)，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。

　　存儲器技術近年的發(fā)展，可能就此改變存儲器與處理技術在1940年代便已確立的關系。連續(xù)存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰(zhàn)，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。

　　即使在對稱多處理系統(tǒng)中，存儲器的配置仍多是連續(xù)空間，資料從存儲器前往處理器的途中，往往會卡在資料匯流排的位置，這是由于存儲器與處理元件相距過遠的緣故。事實上，目前架構中處理與存儲器的速度與功率分布差異越來越大，并影響了芯片外的資料傳輸速度。

　　Rambus于是利用DDR介面的類比結構將存儲器與邏輯連結，加速資訊傳送并將訊息轉換回邏輯，不過這都還需建立在存儲器與邏輯為兩個獨立單位的前提下。一旦將存儲器置于邏輯之上，便可用幾百萬條線路連接存儲器與邏輯，改變整個既有的架構。

　　垂直化的芯片結構越來越受到矚目。傳統(tǒng)芯片間中介層(inter-chipinterposer)、打線的堆疊，以及矽穿孔(ThroughSiliconVia;TSV)連接，已逐漸成為主流。各種存儲器、邏輯、MEMS、RF等技術，也能以更具成本效益的方式整合。

　　然而3D存儲器不只是芯片堆疊。3D存儲器架構還可同時處理多層資料。三星電子(SamsungElectronics)與東芝(Toshiba)便一路從24層存儲器發(fā)展到48層。然而這并不代表矽穿孔完全失去了價值。矽穿孔仍能有效減少I/O功率，提供更高的存儲器密度。

　　3D堆疊架構不免會產(chǎn)生功率與熱能的疑慮。所幸存儲器并沒有太高的功率需求，只有在讀寫時才會消耗電力。

　　SRAM與DRAM很久前便停止了微縮的腳步，自旋(spintorque)、ReRAM、相變(phasechange、交*點(crosspoint)等新的存儲器技術紛紛出現(xiàn)。這些新技術的共同點，便是材料科學與物理學上的突破。

　　然而存儲器與處理器間的溝通延遲，已困擾電子產(chǎn)業(yè)30多年，并非上述新技術可以完全解決，頂多是縮短了中間的差距。

　　此外，存儲器技術與電晶體脫勾后，便可成為后段制程(BEOL)存儲器，編碼與感應放大器都可置于存儲器陣列下，較SRAM省下不少空間。未來的系統(tǒng)單芯片(SoC)，可能不再需要使用SRAM。