我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（2）

　　1、PNP管做旁路晶體管時(shí)，雖然壓降較小，但其輸出阻抗大，需要特定的ESR的電容才能穩(wěn)定，同時(shí)允許的功率耗散較小，應(yīng)小心在重載條件下使用。

　　2、因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://butianyuan.cn/news/listbylabel/label/晶體管">晶體管的基極電流較大，導(dǎo)致當(dāng)晶體管做耗散管時(shí)，芯片的接地電流常常較大(幾個(gè)mA甚至數(shù)十個(gè)mA)，在電池供電的應(yīng)用中，這可能會(huì)大大縮短電池的壽命!

　　3、因?yàn)榫€性穩(wěn)壓器是通過(guò)消耗功率來(lái)獲得輸出電壓的穩(wěn)定，功率的消耗將主要轉(zhuǎn)化為熱量，因此，當(dāng)線性穩(wěn)壓器芯片太燙的時(shí)候，一定要考慮是否在其上消耗了過(guò)多的能量。

　　4、A/D轉(zhuǎn)換器的類型和特點(diǎn)：

　　(1)計(jì)數(shù)式 ：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、原理清楚、轉(zhuǎn)換速度慢、精度低，價(jià)格低，適用于慢速系統(tǒng)。

　　(2)雙積分式 ：精度高、抗干擾性好，但轉(zhuǎn)換速度慢，適用于中速系統(tǒng);

　　(3)逐次逼近式 ：轉(zhuǎn)換速度較快、精度較高，實(shí)際常用，但是易受干擾;

　　(4)高速并行式 ：轉(zhuǎn)換速度快，價(jià)格高。

　　5、為了充分發(fā)揮AD轉(zhuǎn)換器的分辨率，輸入量應(yīng)與轉(zhuǎn)換量程相稱。

　　例如：某A/D轉(zhuǎn)換的范圍為0--10V，輸入的模擬信號(hào)為0--5V，則應(yīng)將輸入信號(hào)放大2倍，再送入A/D進(jìn)行轉(zhuǎn)換。

　　6、很多系統(tǒng)，特別是實(shí)時(shí)時(shí)鐘系統(tǒng)都是用C和匯編語(yǔ)言聯(lián)合編程。

　　7、對(duì)時(shí)鐘要求很嚴(yán)格時(shí)，使用匯編語(yǔ)言成了唯一的方法，除此之外，包括硬件接口的操作都應(yīng)該用C來(lái)編程。

　　8、單片機(jī)內(nèi)部的CPU、寄存器和總線等結(jié)構(gòu)都是通過(guò)“1”和“0”兩種信號(hào)來(lái)運(yùn)作的，數(shù)據(jù)也是以“1”和“0”來(lái)保存的。

　　9、一般可以使用USB取電，USB最大電流可以提供500mA，但是在實(shí)際應(yīng)用中，如果實(shí)驗(yàn)板使用電流超過(guò)100mA，就建議使用外部電源。

　　10、要注意節(jié)約硬件資源，也就相當(dāng)于節(jié)省硬件成本，在實(shí)際項(xiàng)目設(shè)計(jì)中，這樣就有了成本優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品更具有競(jìng)爭(zhēng)力。

　　11、所說(shuō)的反饋信號(hào)一般是交流信號(hào)，所以判斷正負(fù)反饋，就要判斷反饋信號(hào)與輸入信號(hào)的相位關(guān)系，同相為正反饋，反相為負(fù)反饋。

　　12、正反饋用于振蕩器，負(fù)反饋用于放大器。

　　13、電路中兩個(gè)信號(hào)的相位不是同相就是反向，因此若兩個(gè)信號(hào)都上升，它們一定同相;若一個(gè)信號(hào)下降而另一個(gè)信號(hào)上升，它們一定反相。

　　14、電路中取樣電阻要盡量小(比如小于1歐姆)，以便可以探測(cè)到更寬的電流。

　　15、電流監(jiān)控的實(shí)質(zhì)就是電壓監(jiān)控，然后將檢測(cè)到的電壓通過(guò)歐姆定律轉(zhuǎn)換成電流。在選擇電阻時(shí)應(yīng)估算一下電流的大小，以免經(jīng)放大器后使其ADC達(dá)到飽和狀態(tài)。

　　16、通常，一個(gè)電子系統(tǒng)由多個(gè)不同的功能模塊構(gòu)成，但總有一個(gè)模塊將所有模塊連接起來(lái)，完成整個(gè)電子系統(tǒng)的協(xié)同工作，這個(gè)模塊就是頂層模塊。

　　17、在板內(nèi)或板間，距離很短的情況下，異步串口無(wú)需電平轉(zhuǎn)換，可以直接用CMOS電平進(jìn)行通信。

　　18、所有有源探頭在使用前應(yīng)該有至少20分鐘的預(yù)熱，有的有源探頭和電流探頭需要進(jìn)行零點(diǎn)漂移調(diào)整。

　　19、其實(shí)測(cè)量功率因素最簡(jiǎn)單的方式就是：測(cè)量電壓與電流之間的相位差，得出的結(jié)果就是功率因素。

　　20、限流要求大幅增加輸入電阻。因此，輸入場(chǎng)效應(yīng)晶體管的I2R(即損耗)在過(guò)渡點(diǎn)后急劇上升，該功率被轉(zhuǎn)換成熱量，以致必須得到有效的散熱。

　　21、PCB設(shè)計(jì)時(shí)必須留有一塊足夠大的銅區(qū)域，這樣在與散熱盤接觸時(shí)可以確保有效散熱。

　　22、D類放大器具有超高的效率，但是有嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，這個(gè)問(wèn)題是由于D類放大器的開關(guān)特性所導(dǎo)致的固有特性。

　　23、當(dāng)輸出功率較高時(shí)，即便是只有幾英寸的喇叭連線，其作用就像一根天線，輻射出很高的能量，從而嚴(yán)重威脅著EMI性能。

　　24、CMOS放大器經(jīng)常工作在單電源、低電壓的環(huán)境中，為了滿足后端電路的動(dòng)態(tài)范圍要求(如ADC的滿量程輸入)，通常希望運(yùn)放的輸出或輸出的其中之一或兩者都能達(dá)到或接近供電電源軌，即軌到軌運(yùn)放，也稱滿幅運(yùn)放。

　　25、傳統(tǒng)的軌到軌輸入CMOS運(yùn)放的輸入級(jí)采用PMOS和NMOS對(duì)管使輸入能擺動(dòng)到正、負(fù)電源軌。但其最大的缺點(diǎn)就是PMOS和NMOS不能完美匹配，導(dǎo)致在兩者的結(jié)合處，會(huì)出現(xiàn)因共模抑制比下降導(dǎo)致的失調(diào)電壓跳變。

　　26、決定運(yùn)放直流精度的參數(shù)主要有3個(gè)：

　　(1)輸入失調(diào)電壓及其漂移;

　　(2)輸入偏置電流及其漂移;

　　(3)運(yùn)放的開環(huán)增益響應(yīng)與增益帶寬積。

　　27、對(duì)運(yùn)放而言，當(dāng)需要在最低的功耗下實(shí)現(xiàn)最高速度時(shí)，雙極型(Bipolar)技術(shù)能提供最優(yōu)的性能。

　　28、工業(yè)上最廣泛采用的是用4~20mA電流來(lái)傳輸模擬量。上限取20mA是因?yàn)榉辣囊螅?0mA的電流通斷引起的火花能量不足以引燃瓦斯。下限沒(méi)有取0mA的原因是為了能檢測(cè)斷線：正常工作時(shí)不會(huì)低于4mA，當(dāng)傳輸線因故障斷路，環(huán)路電流降為0。常取2mA作為斷線報(bào)警值。

　　29、如果ADC在采樣和轉(zhuǎn)換時(shí)需要吸取瞬時(shí)較大的電流，可以考慮參考源和ADC間使用運(yùn)放構(gòu)建必要的緩沖器和濾波器。

　　30、對(duì)ADC來(lái)說(shuō)，被轉(zhuǎn)換的模擬信號(hào)是從Vin輸入，而對(duì)DAC來(lái)說(shuō)，被轉(zhuǎn)換的模擬信號(hào)是從Vref輸入。

　　31、總線的工作速度是與總線相關(guān)寄生電容和終端電阻形成的RC時(shí)間常數(shù)的函數(shù)，終端電阻越低，總線工作速度越快，總線功耗也越大。